浅述医院计算机的常见故障及维护维修方法

加强掌握计算机常见故障的维护维修方法对计算机应用人员尤为重要,本文弃繁从简,避开繁杂的维修理论,将计算机常用检测维修方法进行简化归纳,深入浅出、实用易懂,对提高计算机维修技能大有益.     

初中物理教学课堂引入策略探讨

课堂引入在教学中是一个非常重要的阶段,它既可以激发学生的学习兴趣,又可以增长求知欲,消除其他课程的延续性,使学生的思维进入最佳状态,从而达到事半功倍的效果.实验引入法、讲故事引入法、情景引入法、问题引入法、复习引入法等教学方法在物理教学中能取得良好的效果.     

原核生物中RNA聚合酶种类的研究

从已有教材关于原核生物的RNA聚合酶种类的描叙出发,指出其中存在的问题,提出今后相关教材编写中应强调只有从酶的四级结构来看,原核生物的RNA聚合酶才只有1种.     

无去磁绕组正激变换器的探讨

传统的正激变换器需要去磁绕组,从而增加了变压器设计的复杂程度,也增加了调试的调度。去掉去磁绕组的正激变换器也能够正常工作,并具有较好的稳定性,对占空比也没有限制,能满足宽输入电压范围的应用。本文介绍了无去磁绕组单端正激变换器的结构,分析了电路中的工作状态,讨论了电路中的参数影响,并经实验测试,结果显示了这种结构的优点及具有的较好性能。     

Structure and ferroelectric property of Nb-doped SrBi4Ti4O15 ceramics

Nb-doped SrBi₄Ti₄O₁₅ (SBT) was produced by conventional method. Structural and ferroelectric properties of SBT were examined as a function of niobium composition. Analyzing the structure futures of SBT by XRD, XPS and Raman spectrum, Nb⁵⁺ substituted Ti⁴⁺ to form NbO₆ octahedron and did not change the structure of SBT. The XRD patterns indicated the formation of the single phase of SBT for x = 0.01and 0.03 and secondary phase of Sr₃Ti₂O₇ appeared when x > 0.1. To compare the effect of Nb doping, the ferroelectric properties (hysteresis loop, piezoelectric coefficient) of Nb-doped SBT were measured. The SBT doped with x = 0.15 was found to exhibit higher remanent polarization with d ₃₃ = 17 pC/N.     

多晶硅双岛压力传感器应力分布的模拟计算

本言语用有限单元法对双岛型多晶硅压力传感器的应力分布进行了计算机模拟,根据模拟计算的应力分布规律,优化多晶硅应变电阻的设计,弥补了多晶硅压阻系数低于单晶硅的缺点,研制出双岛结构多昌硅压力传感器,传感器具有高灵敏度和高的工作温度,计算分析结果与实验基本相符。     

共地面轨迹移动卫星通信星座设计

本文从移动卫星地面轨迹的特点出发研究了一种共地面轨迹移动卫星星座的设计方法,并借助于计算机模拟和专业卫星通信工具软件对我国区域进行了设计,在选定轨道周期为1／4个恒星日,偏心率为0．158,轨道倾角为63．4°的情况下,4颗共地面轨迹卫星即可对我国大陆（北纬20°至55°）基本达到连续覆盖,平均仰角大于48°．     

一种新颖的单片集成红外传感信号处理器

介绍一种新颖的单片集成红外传感信号处理器。这种处理器能与多种红外传感器匹配 ,对接收到的传感信号进行处理 ,产生控制信号 ,快速启动各类装置 ,实现自动控制。芯片设计中采用多种抗噪声和低功耗设计技术。本处理器用 1 .2μm双层多晶双层金属 N阱 CMOS工艺实现 ,芯片总面积 2 .7mm2 ,电源电压 5 V时的静态电流为 1 .2 m A,封装后样品测试结果获得设计预期的功能和性能     

立方相GaN的持续光电导

研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 .