变阻抗相对论返波管的研究

根据相对论返波管(RBWO)的非线性理论,数值模拟了耦合阻抗单步跃变型RBWO效率与束流参量、耦合阻抗跃变位置、高低耦合阻抗比值的依赖关系,结果表明器件最优化效率可达到50%.设计制造了一个X波段高功率耦合阻抗单步跃变型RBWO,运用全电磁粒子模拟程序仿真了器件中注波互作用过程,预见出器件功率、效率、频率等性能参量.在电子注电流、注加速电压、互作用区长度相同的实验条件下,测得变阻抗器件实验效率约为均匀阻抗型器件效率的2倍.     

开放的V型系统中导致无反转激光分岔的比较

利用开放的V型系统密度矩阵运动方程组的零级稳态解，从定性分析和数值计算两个方面讨论了导致无反转激光的途径。研究结果表明：系统可以通Pitchfork分岔和Hopf分岔两种失稳机制产生无反转激光，激光腔损失，非饱和激光跃迁增益、原子退出速率和注入速率的变化对无反转激光的产生有明显的影响。     

基于三层C/S结构的OMC-R系统的研究与实现

基站维护对提高移动网络的运营质量具有重要意义。目前基于双层C／S（Client/Server）结构的OMC－R（Operations Maintenance Center for Radio，无线基站操作维护系统）存在着维护地点局限性大，输出结果信息量小等不足。针对这些不足，本文提出采用三层C／S体系结构改进OMC－R系统，介绍了一个已经实现的基于三层C／S体系结构的OMC－R系统，并据此对三层C／S体系结构实现OMC－R优势进行了全面分析。     

连续工作型电子装备战备完好性预计

从战略完好性的实际内涵出发，考虑到装备实际工作中可能处于不同的工作状态，因而其战略完好性模型也应有所有同。对于处于连续工作状态的电子装备，即使工作中发生故障，只要执行下次任务前能修好，就不影响装备的战略完好性。基于此，得出了电子装备处于连续工作状态下的战略完好性预计模型，并在对应的条件下对此模型的得出进行了缜密的推理。     

基于遗传算法的盲信道估计新算法

基于单输入多输出的信道模型,该文提出一种基于遗传算法的信道盲估计算法,该算法的特点是基于低阶统计量,计算速度快;并且把信道阶数作为染色体的一部分参与估计,从而能在信道阶数未知的条件下同时对信道阶数和参数进行估计。仿真结果表明该算法的性能优于现有的非迭代算法。     

基于数字证书的树型结构安全多播方案

该文提出一种基于数字证书的安全多播方案，采用树型的多播拓扑结构。多播树中的每个节点都有一个标识其身份的数字证书，除了成员身份认证外，还可以安全地分发会话密钥和实现会话数据的认证，因而减少了多播群密钥管理的复杂度；由于采用分层的树型多播结构，成员加入和退出有了更大的可扩展性。     

火灾烟雾的多波长衰减特性研究

采用多波长激光同时与火灾烟雾与非火灾气溶胶相作用，研究了火灾烟雾对波长激光的衰减特性，得到了熏香烟雾和柴油明火烟雾等5种典型火灾烟雾和非火灾气溶胶的3对波长消光系数比的数值。结果表明，消光系数比反映了气溶胶粒子对两个波长激光衰减的相对程度，仅与气溶胶本质特征有关，不同烟雾气溶胶的消光系数比的数值有明显差别。     

Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响

对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入 ,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响 .当退火温度升高时 ,不管是哪一组样品 ,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的 .无黄光的GaN样品在注入Si离子并经退火后出现明显的黄光 ;而有强黄光的GaN样品经相同处理后 ,其黄光强度较原生样品大大降低 .实验结果表明离子注入加上适当退火会在GaN中引入与黄光有关的深受主缺陷从而使黄光强度增加 ,此外 ,在离子注入过程中GaN表面不仅可以吸附离子注入引入的点缺陷 ,而且还能够吸附GaN中原有的与黄光有关的点缺陷 ,这种吸附作用随离子注入剂量增加而变强 .     

Organic Electroluminescent Thin Film Using 8—hydroxyquinoline Zinc as Emitting Layer

Organic electroluminescent thin film using Znq2(Znq2) as the emitting layer material with structure of glass/ITO/Znq2/Al(cell) was fabricated.The V-I curve ,V-B curve and electroluminescent spectra of the cell were measured.Meanwhile the fluorescent spectra, excited spectra and absorption spectra of Znq2 with power and film states were also measured.     

GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.