试论科技馆的服务对象

近十年来,我国社会、经济飞速发展,在新的时代背景下,社会和公众对科技馆的需求也发生了相应的改变。科技馆作为最主要的公益科普传播机构,其目标观众定位,不应仅锁定在“青少年”这一有限群体,而需拓展到“全民”的无限目标,从而有计划、有步骤地进行全面系统的调整和提升,以满足社会各类人群新的科普教育服务需求,切实担负起提升全民科学素养的社会职责。科技馆自身急需着手开展以“全民科普”为应对目标的新课题,从而开创科普教育的新局面,充分发挥科普资源效益,走上可持续的科学发展之路。文章对上海科技馆开馆八年来的探索尝试和积累的相关数据进行了分析和理性思考,并提出了具体的应对措施和建议。     

基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺

研究了基于绝缘材料上的硅（SOI）材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺．利用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）技术，在SOI材料上制作了垂直度大于89°的光滑的光栅槽面．氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度（RMS）有3nm的改善，达到7.27nm（采样面积6.2μm×26μm）．通过采用集成波导拐弯微镜代替弯曲波导使1×4分波器的器件尺寸仅为20mm×2.5mm．测试结果表明器件实现了分波功能．     

衬底表面处理对原子层沉积方式生长铂金薄膜的影响

在这篇文章中,我们利用原子层沉积(ALD)的方式在硅衬底上生长铂金(反应源是(CH₃C₅H₄Pt(CH₃)₃)和氧气)。将经过氢氟酸处理和氧气处理的两种类型硅衬底进行生长对比实验来探究衬底表面处理对原子层沉积方式生长铂金薄膜的影响。相对于经氧化处理的硅衬底来说,在氢氟酸处理的硅衬底上淀积铂金薄膜有较长的滞后时间且生长过程不同。此外,即使在原子层沉积铂金薄膜实验之前利用氢氟酸处理硅衬底以去除天然氧化层,淀积实验完成后在铂金和硅衬底界面处仍有一层中间氧化层。文章解释了导致这种差异性的原因。     

悬臂式RF MEMS开关的设计与研制

介绍了一种制作在低阻硅(3～8Ω·cm)上的悬臂式RF MEMS开关.在Cr/ Au CPW共面波导上,金/Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂,静电受激作为开关机理.当开关处于“关断”态,其隔离度小于- 35 d B(2 0～4 0 GHz) ;阈值电压为13V ;开关处于“开通”态,插入损耗为4～7d B(1～10 GHz) ,反射损耗为- 15 d B.另外,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系,并应用ANSYS软件对开关进行了电学、力学及耦合特性的计算机模拟     

过氧化氢氧化糠胺制备3-羟基吡啶

以糠胺为原料、H2O2为氧化剂制备3-羟基吡啶。考察了盐酸浓度、反应温度和反应时间对3-羟基吡啶收率的影响。最佳反应条件为:n(糠胺),n(盐酸):n(过氧化氢)=1．0:5．0:1．1,在0-5℃4 h内将过氧化氢滴加入糠胺和盐酸的混合物中,加热回流反应0．5 h,得目标产物,收率76％,质量分数99．3%。     

一种新的红外图像伪彩色变换方法研究

提出了一种新的红外灰度图像伪彩色变换方法。在用于 红外灰度图像处理时,该方法不仅可以增强目标的自身细节,而且还可以提高目标与背景之间的对比度。 实验结果表明,本文方法能够使目标与背景之间的区分变得更加明显,目标边缘 变得更清晰,有利于对复杂海空背景下的运动目标进行分析和判读。     

公钥密码探源

如何能够在利用网络速度的同时,保护我们的信息安全,这给密码学家提出了一个难题。 公钥密码系统的诞生解决了这个难题。本文在研究了公钥密码学的教学基础上,以椭圆曲线加密 (ECC)为例,把椭圆曲线信息编码成二进制数,把明文加密成密文,把密文还原为明文,完整地研究 了公钥密码系统。     

任意形状孔径的干涉图像波面拟合的数学矢量模型

文中利用移相干涉术的特点提出了自动检测任意形状孔径中有干涉条纹区域的方法,测试中,当测试波前相对于参考滤前的光程差是照明波长的整数倍时形成干涉条纹,它此而形成的二维图就是干涉图像。干涉术是一种从干涉图像提取测试波面信息的光学测试技术,它包括对干涉图像的采样、条纹定级次和波面拟合三步。这里提出了一个对干涉图像拟合处理的线性代数矢量模型,应用线性代数矢量矩阵的知识详细地推导出了一种对干涉图像的处理带有一般性的矢量拟合公式,由最小二乘法逼近多项式拟合的相位值数据,用Ｇｒａｎ－Ｓｃｈｍｉｄｔ算法正交化处理多项式组,用反向替代法技术来求解最初多项式组的权因子系数。     

一种用于电容式MEMS麦克风的读出电路

在分析电容式MEMS麦克风工作原理的基础上,提出了一种用于电容式MEMS麦克风的读出电路.该读出电路包括低极点频率的高通滤波器和低噪声单位增益缓冲器,高通滤波器用来读出MEMS麦克风在声压作用下产生的小信号,单位增益缓冲器用来隔离高通滤波器和后续信号处理电路,并提供较大的驱动能力.仿真结果表明,当电源电压在1.2～3.6V之间时,读出电路都可以正常工作,且静态电流小于60 μA,等效输入噪声为5.2 μV,电压增益大于-1.56 dB(83.6％).由于消除了失调电压的影响,电路可以处理幅度范围为50 μV～200 mV的小信号(参考X-FAB 0.35 μm CMOS工艺).     

BGA封装技术研究

介绍了 BGA技术的研究现状 ,着重从芯片互连、基板材料及封装设计等方面讨论了该技术的发展前景。