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141.
顾欣 《电信工程技术与标准化》2003,(8):74-81
本文系统地阐述了IP over DWDM的分层模型、关键技术,并对IP over DWDM技术在城域网中的应用和发展前景进行了介绍。 相似文献
142.
电大尺寸复杂结构腔体电磁散射的IPO/FEM混合法研究 总被引:4,自引:1,他引:4
该文将物理光学迭代法(IPO)的子域连接法与矢量有限元法(FEM)相结合,提出了一种新的混合方法用于分析计算电大尺寸复杂结构腔体目标的电磁散射特性。对于腔体内部适合用高频方法处理的部分采用IPO方法分析;对于具有复杂结构和材料特性的部分,采用矢量有限元法进行研究,利用交界面上的连续性条件实现这两种方法的耦合。为了验证理论模型的正确性,该文对某一矩形空腔及底部加载金属台阶的腔体进行了分析,计算结果与文献数据以及用时域有限差分法所得结果一致,并具有很好的收敛效果。在此基础上,对底部加载介质层的复杂结构腔体进行了分析计算,结果表明这种混合方法对于分析电大尺寸复杂结构腔体的散射特性是行之有效的。 相似文献
143.
通过适当的工艺措施,采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd.9Zn0.1Te晶锭.测试结果表明:该晶锭结晶质量良好,位错密度低,成分均匀,杂质含量低,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd.9Zn0.1Te的值.并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度,分析了生长高性能晶体的条件,研究了生长Cdl-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系. 相似文献
144.
J. W. P. Hsu F. F. Schrey M. J. Matthews S. L. Gu T. F. Kuech 《Journal of Electronic Materials》2003,32(5):322-326
Using a two-photon laser-scanning microscope (LSM), the spectral and intensity variations of photoluminescence (PL) in a lateral
epitaxially overgrown GaN film were mapped with submicron resolution. The PL results are correlated with the carrier-density
variation obtained by confocal-Raman microscopy and the surface Fermi-level positions measured by scanning Kelvin-force microscopy.
Near-bandgap emission spectra taken in the wing regions provide support for the previously proposed, compensated-impurity
band, which arises from the incorporation of a high concentration of impurities, resulting in a carrier density of ∼1020 cm−3. 相似文献
145.
146.
147.
148.
近年来国内外射频电缆组件的发展很快,射频电缆组件的性能不断提高,对射频电缆组件组装工艺也提出了更高的要求.射频电缆组件组装过程多是手工操作,产品的一致性及性能很难控制,要求有良好的工艺保证,为此介绍了射频电缆组件组装工艺,包括电缆的裁剪及剥皮、内导体的连接、外导体的连接和电气性能的测试;探讨了在组装过程中应注意的问题,以及针对内导体焊接易出现虚焊问题进行研究. 相似文献
149.
提出了一种离线式基于时间门的荧光受激发射损耗(g-STED)显微方法。基于在强光照条件下荧光寿命缩短的理论模型,在常规STED架构基础上,使用时间相关单光子记数(TCSPC)算法获取图像的荧光寿命信息,离线设置合理的时间门阈值,丢弃短寿命信号数据,对荧光信号有效点扩展函数(PSF)进行压缩,达到超分辨显微的目的。与传统STED显微术相比,此方法所需光功率大幅度降低,减少了荧光漂白及光毒性;离线式处理则同时增加了时间门设置的灵活性。在实验中,使用45mW的连续STED光,最终获取了约80nm的图像空间分辨率。进一步对时间门的设置对获取图像信号的分辨率和信噪比的影响进行了讨论。 相似文献
150.
为集成调谐器接收机芯片系统设计了一个带自动幅度控制回路的差分结构电容电感压控振荡器.通过采用pMOS管作为有源负阻使振荡器谐振回路可以直接接地电平,减小了寄生效应,扩大了频率调谐的线性及其范围.采用的自动幅度控制AAC回路具有元件少,噪声低,控制灵敏,调节容易,结构简单及设计方便的优点,并保证振荡器电路的性能最小地依赖于环境和制造工艺参数的变化.所设计的压控振荡器采用新加坡特许50GHz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺流片,经测试在1MHz频率偏移处达到了-127.27dBc/Hz的相位噪声性能,具有宽的(990~1140MHz)和线性(调谐增益32.4MHz/V)的频率调谐曲线.整个振荡器电路在5V的供电电压下仅消耗6.6mA的电流,可以满足调谐器的应用需要. 相似文献