一致持久的带外虚拟化系统

存储虚拟化能够全面提升存储区域网络的服务质量,而带外虚拟化与带内虚拟化相比具有性能高和扩展性好等优点．提出了运用按序操作、REDO日志以及日志完整性鉴别,共同保证带外虚拟化跨越系统崩溃或断电事故后仍旧可用;设计了一种基于关系模型的磁盘上虚拟化元数据组织方式,它具有可读性好和容易修改的优点;给出了通过分析磁盘分区表兼容典型遗留存储系统的有效方法,它具有庞大遗留系统零切割时间的特点．基于上述关键技术实现的原型系统,在典型实验中表现了很好的性能．     

基于JMS异步消息的心跳监听设计与实现

阐述了如何利用Java消息服务和心跳技术实现对分散模块状态的监控，以及保证模块间通信无阻。通过收发消息的形式，集中监控关键模块，并准确定位故障所在，尽可能保证系统长时间的无故障运作。     

聚（3-甲基噻吩）修饰电极的制备及其用于多巴胺的电化学行为及测定研究

通过实验研究了恒电流法制备聚(3-甲基噻吩)(P3MT)修饰玻碳电极的最佳聚合条件,并用扫描电子显微镜(SEM)对制备的修饰电极进行了表征.利用最佳条件下制备的聚(3-甲基噻吩)修饰电极,研究了多巴胺(DA)在该修饰电极上的电化学行为,并建立了多巴胺的电化学测定方法.实验结果表明,用该方法制备的修饰电极比用循环伏安法(CV)和恒电位氧化相结合制备的电极性能更好.     

星环形计算机局域网的性能研究

本文结合星形(Star)和环形(Ring)拓扑结构,提出了一种全新的LAN(Local Area Network)结构——星环形LAN.它以较低廉的代价在网络的几个主要性能指标上获得较大的提高.本文论述了星环形LAN(StarRing LAN)的设计思想和各性能指标的研究结果.     

基于特征映射的互联网频繁模式识别算法

提出了一种基于特征映射的互联网频繁模式识别算法,采用特征映射与聚类相结合的方法,解决了SPADE算法不能反映类信息的问题与大量数据聚类时的效率低下,同时,提出了比较合理的频繁模式定量评价体系,从而完成了识别系统的整体设计,对于处理互联网海量用户数据有着相当重要的作用,同时,可以根据此算法提供个性化推荐等服务来提升用户体验.     

多通道高速实时数据采集与处理平台的设计

针对红外导引头多元信息探测和实时数据处理要求,设计了基于FPGA和DSP的多通道高速实时数据采集和处理平台;在该平台中,通过FPGA实现了DSP的引导、多通道高速A/D、D/A、大容量存储器(SDRAM和FLASH)和数字I/O等功能模块的无缝链接及逻辑控制;利用时序分配和EDMA(扩展的直接存储器访问)技术以及McBSP(多通道缓冲串口)和HPI(主机口),实现了FPGA和DSP之间实时传输与通信控制;实际应用表明在该平台中A/D与FPGA之间串行传输速率可达20MHz,FPGA与DSP之间串行传输速率可达70MHz,且平台运行稳定、可靠,满足了红外导引头的实时信号处理要求。     

PDA用于注射液中微粒检测的研究

本文以激光相位多普勒（ＰＤＡ）技术为基础,利用ＰＤＡ信号探测器及高速信号的处理系统,实现了注射液中不溶性微粒的尺寸分布检测,对ＰＤＡ技术的实用化研究进行了有益的探索。     

核电产品技术文件体系的探讨

分析了核电产品技术文件管理体系框架的构成,阐述了建立完整规范的核电产品技术文件体系之重要性。核电产品的制造,需严格按照文件管理体系的要求进行,并及时对体系的适用性进行评审验证和完善。通过建立管理文件模板,可实现技术文件的规范化管理。     

Reconstruction of nonuniform transmission lines from time-domainreflectometry

A novel technique is developed to reconstruct the physical structures of a nonuniform transmission line from its time-domain or frequency-domain reflection (scattering) coefficient. This technique takes the past history of reflection processes of nonuniform line into considerations, and its accuracy exceeds that of a conventional time-domain reflectometry (TDR) technique. Experimental results are presented to illustrate the validity of this reconstruction technique     

Performance dependence of InGaP/InGaAs/GaAs pHEMTs on gatemetallization

The performance of InGaP-based pHEMTs as a function of gate metallization is examined for Mo/Au, Ti/Au, and Pt/Au gates. DC and microwave performance of pHEMT's with 0.7-μm gate lengths is evaluated. Transconductance, threshold voltage, f_t, and f_max are found to depend strongly on gate metallization. High-speed performance is achieved, with f_t of 41.3 GHz and f _max of 101 GHz using Mo/Au gates. The difference in performance between devices with different gate metallizations is postulated to be due to a combination of the difference in Schottky barrier heights and different gate-to-channel spacings due to penetration of the gate metal into the InGaP barrier layer