首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   12435篇
  免费   1044篇
  国内免费   516篇
电工技术   648篇
技术理论   1篇
综合类   957篇
化学工业   2062篇
金属工艺   644篇
机械仪表   748篇
建筑科学   1045篇
矿业工程   350篇
能源动力   486篇
轻工业   791篇
水利工程   236篇
石油天然气   638篇
武器工业   101篇
无线电   1412篇
一般工业技术   1522篇
冶金工业   550篇
原子能技术   137篇
自动化技术   1667篇
  2024年   39篇
  2023年   205篇
  2022年   306篇
  2021年   416篇
  2020年   393篇
  2019年   311篇
  2018年   356篇
  2017年   360篇
  2016年   396篇
  2015年   461篇
  2014年   569篇
  2013年   650篇
  2012年   728篇
  2011年   755篇
  2010年   704篇
  2009年   682篇
  2008年   616篇
  2007年   573篇
  2006年   567篇
  2005年   498篇
  2004年   406篇
  2003年   507篇
  2002年   632篇
  2001年   539篇
  2000年   411篇
  1999年   353篇
  1998年   283篇
  1997年   255篇
  1996年   224篇
  1995年   167篇
  1994年   139篇
  1993年   106篇
  1992年   83篇
  1991年   68篇
  1990年   55篇
  1989年   35篇
  1988年   45篇
  1987年   23篇
  1986年   20篇
  1985年   18篇
  1984年   8篇
  1983年   7篇
  1982年   8篇
  1981年   4篇
  1980年   5篇
  1979年   4篇
  1978年   2篇
  1977年   1篇
  1974年   1篇
  1961年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
邵贤杰  陆海  张荣  郑有炓  李忠辉 《半导体学报》2008,29(12):2389-2392
基于GaN转移电子器件最基本的工作模式--畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4.7THz,接近GaAs转移电子器件最高振荡频率(0.6THz)的8倍.从理论上计算出GaN转移电子器件的理想最大输出功率,结果表明GaN转移电子器件在功率输出方面具有很大优势.最后还讨论了 GaN转移电子器件在畴渡越时间模式下,能够产生稳定Gunn振荡的两个基本条件,即电子浓度N与器件有源区长度L乘积要大于该器件的设计标准((NL)0=6.3×1012cm2)及有源区的掺杂浓度N要小于临界掺杂浓度Norit(3.2×1017cm-3).本工作揭示出GaN转移电子器件在高频率和大功率输出方面都具有重要优势,作为大功率THz微波信号源将具有广阔的应用前景.  相似文献   
92.
根据气体放电相关理论建立高功率脉冲氙灯仿真模型,阐述了放电回路设计的基本原理,采用建立的模型通过计算机对TIL及NIF装置进行仿真,给出了放电回路的仿真结果,与装置运行实际数据比较发现仿真模型及过程可靠,为高功率激光装置的电子计算机辅助设计和分析提供了一种新途径。  相似文献   
93.
94.
超临界二氧化碳射流具有破岩速度高、门限压力低等优势,加入磨料颗粒形成超临界二氧化碳磨料射流,将取得更高的冲蚀切割效率。为研究超临界二氧化碳磨料射流可行性,采用数值模拟方法,对比分析了单个颗粒在超临界二氧化碳等流体射流中的运动特征,揭示了流体温度、磨料粒径对颗粒跟随运动的影响规律。结果表明,与相同条件下在水与压裂液射流中相比,磨料颗粒在超临界二氧化碳射流中运动规律相似,但初始滑脱速度较大、跟随能力较弱,获得的喷射速度与撞击靶件壁面速度较高,表明超临界二氧化碳具有良好的颗粒携带能力;流体温度升高、磨料粒径增大均会使颗粒滑脱速度增大、削弱跟随运动效率,但同时也降低了喷嘴外流场中颗粒所受运动阻力,显著提高了喷射速度与撞击壁面速度。由此可知,对于石英、陶粒等常用磨料材质,在常规储层温度(60~140℃)与粒径范围(20~70目)内,超临界二氧化碳磨料射流可有效形成并进行高效冲蚀切割作业。  相似文献   
95.
随着油气勘探不断向地层深部拓展,弄清烃源岩层生烃底限对于确定含油气盆地有效勘探领域范围和评价油气资源潜力都具有十分重要的意义。为此,以渤海湾盆地东濮凹陷古近系沙河街组烃源岩为研究对象,根据烃源岩层生排烃机理,采用有机元素变化分析法、生烃潜力法、残留烃量法和排烃量法4类7种方法对该区烃源岩的生烃底限进行了研究。结果表明:1用不同方法确定的沙河街组烃源岩生烃底限相差不大,全区生烃底限对应的镜质体反射率值(Ro)介于3.23%~3.97%,平均为3.71%,全区生烃底限对应的深度H值介于5 244~5 525m,平均为5 433 m;2凹陷北部生烃底限Ro介于3.61%~3.97%,平均为3.81%,其生烃底限H值介于5 415~5 545m,平均为5 488 m;3凹陷南部生烃底限Ro介于3.20%~3.74%,平均为3.48%,其生烃底限H值介于5 265~5 375m,平均为5 278 m。结论认为:该区南、北地区生烃底限存在差异,北部地区生烃底限对应的热演化程度(Ro)值和深度值明显高于南部地区,这与凹陷北部沙河街组发育巨厚膏盐层有关,主要体现为南、北地区在有机质类型、地层温度和压力等方面存在着差异性。  相似文献   
96.
高阶煤层气井的平均单井产气量低已成为制约我国煤层气产业发展的主要瓶颈之一,直接导致了煤层气开发经济效益低。为此,基于不同煤储层的地质条件,选择适用于煤层气高效开发的工程技术是提高当前高阶煤层气开发效益的关键。在剖析影响高阶煤层气开发效果的地质因素的基础上,建立了高阶煤层气开发的地质模式,并针对不同的地质模式优选出了相应的开发工程技术。结果表明:(1)影响高阶煤层气开发效果的主要地质因素按其影响程度从小到大依次为:煤体结构、煤岩变质程度、地应力、临储比;(2)据此划分了直井压裂、裸眼多分支水平井、U型和顶板仿树形水平井、鱼骨状和单支型水平井等4种工程地质模式。结论认为:直井压裂和裸眼多分支水平井仅适用于煤体结构好、变质程度高的地区;而低成本、后期可维护、占地面积少的单支型水平井和鱼骨状水平井适用范围广,是适宜大力推广的井型。  相似文献   
97.
储层构型表征是开发后期挖潜剩余油的重要手段,辫状河砂体是重要的油气储层,但由于辫状河沉积机制复杂,砂体叠置关系多样,致使其内部构型模式复杂。针对辫状河储层构型的研究,在野外地质解剖、测井曲线识别、探地雷达分析以及室内模拟实验等多方面均已取得了诸多研究成果。依据储层构型层次界面分析法,辫状河储层构型共划分出6级储层构型单元;其中主要的储层构型研究对象为3级和4级储层构型单元,研究内容为辫状河沉积体系中单砂体的沉积模式、构型参数表征,心滩内部增生体与夹层的发育模式及构型参数特征。辫状河储层构型主要受构造运动、河水能量、气候条件以及沉积基准面变化4个方面的影响。  相似文献   
98.
邵建新  马宏 《微电子学》1993,23(1):19-24
本文从干法腐蚀角度出发,首先从数学上分析了多晶硅角度,SiO_2边墙的宽度和高度,衬底损失与各工艺参数间的关系,指出边墙的宽度和高度分别取决于多晶硅的角度和过腐蚀量。在Tegal1512e设备上,采用Cl_2、SF_6、N_2混合气体,开发了多晶硅干法腐蚀工艺,讨论了LDD的正胶掩膜及SST的SiO_2掩膜对工艺的不同影响。SEM分析发现了SF_6气体腐蚀的各向同性。在Tegal903e设备上,采用CHF_3、SF_6、He混合气体,开发了SiO_2边墙干法腐蚀工艺,研究了腐蚀的各向异性,辐射损伤,选择比,均匀性及重复性的控制方法。取得的工艺结果为,腐蚀速率(?)_(sio_2)≈400nm/min,均匀性U≤±5%,选择比S_(f8)>10,工序能力指数C_p>1。  相似文献   
99.
将自由空间光(FSO)通信链路的高速率优势与射频(RF)链路的可靠性优势互补结合,针对FSO/RF混合通信链路组网的物理层数据可靠传输问题,研究软切换机制下采用LDPC混合编码与2-PPM和16QAM调制的系统方案性能。混合系统FSO链路在Gamma-Gamma信道不同湍流强度与RF链路在Rician信道不同信噪比条件下的仿真结果表明,所述方案在软切换下达到1×10~(-6)误比特率时,不同条件下可获得1.3~8.0 dB不等的性能增益改善,显著提高在不同链路条件下FSO/RF混合通信系统的数据传输可靠性。  相似文献   
100.
本文给出了一种适合于级敏扫描方法(LSSD)的伪穷尽测试集生成方法。通过测试码生成电路中增加状态跳变控制电路,使得只需要一个初始状态就可生成整个伪穷尽测试集。由于这个特点,消除了必须在ROM中存储多个初始状态的要求,从而简化了测试控制电路及测试过程。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号