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991.
Yang Wang Mansour N. Salem A. Brennan K.F. Ruden P.P. 《Quantum Electronics, IEEE Journal of》1992,28(2):507-513
The authors present a theoretical analysis of a possible avalanching photodetector (APD)-based on II-VI compound semiconductors. Each unit cell is composed of a HgTe layer, or a similar semimetal, sandwiched between two layers of CdTe and HgCdTe or similar semiconducting materials. The barrier layers are graded so that the leading barrier height is just high enough to eliminate the thermionic emission dark current out of the well. The use of a semimetal within the well has a distinct advantage over a semiconductor, which is that the ionization process is essentially an interband mechanism since the confined carriers within the well lie within the overlapping conduction and valence bands. As a result, the concentration of target carriers is virtually inexhaustible as in a conventional interband device 相似文献
992.
A two-dimensional model was applied to simulate the liquid core reduction(LCR) technology of bloom CC using ANSYS software.The deformation characteristics of bloom under different liquid fraction and reducing amount are obtained.The results indicate that the main deformation condition of bloom shell is compressive strain,mainly undertaken by the liquid core,which increases with the enhancement of reducing amount.Solidified shell takes minor deformation.The longitudinal section of bloom appears sunken and the narrow side bulges,which grow serious when the liquid fractionincreases. 相似文献
993.
994.
995.
用磁控溅射方法制备了系列 (Fe0 .86 Zr0 .0 33Nb0 .0 33B0 .0 6 8Cu0 .0 1 ) x(Al2 O3) 1 -x颗粒膜样品 ,体积百分比x从 0 .3 3~ 0 .63 ,样品厚度约为10 0nm。室温下在Fe0 .86 Zr0 .0 33Nb0 .0 33B0 .0 6 8Cu0 .0 1 体积百分比x =0 .43时得到 17.5 μΩ·cm的最大饱和霍耳电阻率 ,比纯铁磁金属提高了 3~ 4个量级。对其磁性和微结构进行了研究 ,样品霍耳电阻率随外场的变化曲线 ρxy~H与磁场平行于膜面时的磁化曲线M~H有相似性 ,说明霍尔电阻率 ρxy与磁化强度M相关。样品电阻率 ρxx随金属体积百分比x的减小而增加 ,在x =0 .43附近发生突变 ,从金属导电变为绝缘体。根据微结构和输运性质对可能的机制进行了探讨 相似文献
996.
997.
以历史成本会计特点分析为重点,比较、分析了历史成本会计的优点和面临的挑战,指出历史成本会计仍将是基本的会计模式,但多种计量属性并存将是未来财务报告的发展趋势。 相似文献
998.
999.
1000.
2000~2001年全国超高压变压器、电流互感器事故和障碍统计分析 总被引:4,自引:0,他引:4
对2000-2001年全国超高压变压器和电流互感器的运行情况以及事故与障碍情况进行了统计分析,并针对运行中的质量情况、事故形态及其主要原因提出了防范措施,以此作为质量信息反馈和编制规程及反事故措施的依据,同时可为选择进口、国产设备和准备更恰当的技术条件提供参考意见。 相似文献