退火温度对电子束沉积Ag/TiO2薄膜光学性质和光催化性能的影响

研究了退火温度对电子束制备Ag/TiO₂薄膜光学 性质和光催化性能的影响。在石英玻璃、硅片 上沉积了Ag/TiO₂复合薄膜,在空气氛围下,进行了400℃, 500℃的退火一小时.用紫外-可见分光光度 计、X射线衍射仪(XRD) 、原子力显微镜(AFM)对沉积和退火后的薄膜分别进行光学、结构、 形貌分析。结 果表明:300℃下制备的Ag/TiO₂复合薄膜为无定形结构,400℃以上薄呈多晶态。吸光度和表面粗糙度 随退火温度的增加而增大,薄膜的光学带隙随退火温度的增加而减小。锐钛矿相表现出了更 好的光催化性能。     

GaN:Si薄膜的结构和应力特性研究

对掺杂浓度为1017～1019cm-3的GaN:Si样品进行高精度X射线衍射和拉曼散射光谱的研究发现:随着Si掺杂浓度的增加,GaN晶粒尺寸逐渐减小,引发更多的螺位错和混合位错致使摇摆曲线的半高宽有所增加,同时薄膜中的剩余应力也逐渐减小。当掺杂浓度高于2.74×1018cm-3时,薄膜从压力状态转变为张力状态。     

基于ATMEGA8和CCD机器人视觉系统设计实现

针对机器人巡线,提出一种基于ATMEGA8和CCD结合的简单廉价且稳定的巡线方法。重点分析了ATMEGA8获取和处理图像技术难点,并阐述了硬件电路设计方法和软件思路。实验结果表明,该系统能够稳定可靠地实现线路识别。     

基于拉曼散射原理的分布式光纤测温系统研究

在研究拉曼散射原理及其应用技术的基础上,开发了一种分布式结构的光纤测温系统。通过对光纤的拉曼散射光谱信息进行解调处理,实现了全光纤的分布式温度检测。系统达到的温度分辨率为0.3℃,空间分辨率为3m,最大测量距离为6 000m。相关的实验室和野外试验结果表明,该系统的主要性能指标能够满足实际工程的使用要求。     

一种基于Attention-YOLOv3的海面舰船目标检测的方法

近年来,基于深度学习的视觉检测方法在海面舰船目标检测领域中的应用愈加广泛。为了解决传统视觉检测方法检测精度不高,对小目标检测效果不好的问题,提出了一种基于Attention-YOLOv3的海面舰船目标检测方法,有效提高了对舰船目标的检测性能。在对主流的One-stage与Two-stage模型结构及特点的调研分析的基础上,利用YOLOv3的特征提取网络Darknet-53来获取图像特征,通过特征金字塔网络（FPN）网络结构融合特征提取网络中深浅层的语义信息,并添加注意力机制模块来进一步优化网络性能。将改进后的Attention-YOLOv3模型应用到海面舰船检测场景中进行验证,基于搜集到的舰船目标制作成COCO格式的数据集进行训练,使用包含海面舰船目标的图片作为测试集进行测试。实验结果表明,改进后的Attention-YOLOv3网络对比原检测网络模型,解决了小目标检测不敏感的问题,达到了更高的检测效果。     

基于灰度投影与改进Hough变换的人眼定位算法

人眼定位是人脸识别的重要步骤,本文提出一种结合灰度投影与改进Hough变换的人眼定位算法.首先,通过两次积分投影进行人眼粗定位,对粗定位的眼睛灰度图像增强处理后提取边缘,然后采用改进Hough变换检测圆来定位眼球的准确位置.实验结果表明,该算法与已有算法相比,具有更为快速和精确的定位效果,并且对头部偏转具有较强的鲁棒性.     

热电偶动态校准及动态补偿技术研究

介绍了利用大功率半导体激光器发出的脉冲激光作为激励源,使被校准热电偶表面产生温升,用响应速度快的红外探测器和对被校准热电偶同时对此温度变化信号进行探测,由于红外探测器的频率响应优于被校准热电偶频率响应,因此,以前者测得的值作为真值来校准后者的动态校准系统。利用该系统对普通K型铠装热电偶进行了动态校准,得到红外探测器和被校准热电偶温度-时间的曲线。热电偶补偿环节采用动态补偿滤波器进行建模,由测得的数据曲线来确定滤波器的阶次和参数,从而确立模型结构,并利用交叉检验法检验模型的正确性。试验表明：通过动态补偿模型减小了热电偶的动态误差,使之更接近于实际值,并给出了普通K型铠装热电偶补偿曲线。     

基于SDN和NFV技术的新型电力CDN

电力CDN在智能电网发展及电力信息网应用扩展过程中扮演着网络加速、流量负载、安全防护的重要角色,同时,业务需求对其灵活布置也提出了更高的要求。此外,电力CDN加速节点的扩容面临着运维复杂、资源利用率低的问题。传统的电力CDN架构亟待改革,而能够支撑电力CDN改革需求的是SDN和NFV技术。SDN技术将业务控制从网络数据和传送中抽取出来,更有利于多种业务的快速扩展以及对CDN节点的集中管控。而NFV能基于业务发展对CDN节点进行扩容和资源调度,大大减少资本支出、运营成本、空间和功耗。     

SnAgCuY钎料表面Sn晶须的旋转生长现象

研究了Sn3.8Ag0.7Cu1.0Y钎料表层上YSn3稀土相表面Sn晶须的生长行为。结果表明:室温时效条件下在YSn3的表面会出现Sn晶须的快速生长现象,生长速度最快可达10–10m/s,长度最长可达200μm。YSn3稀土相氧化的不均匀性是导致Sn晶须在生长时产生各种旋转现象的主要原因。     

快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响

利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜件能的影响.采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测鼋样品的少子寿命.实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降.氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变.