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91.
研究了十二烷酸、十四烷酸、十六烷酸和十八烷酸在淡水中的集油能力。结果表明,这4种羧酸在淡水表面的表面膜压随其分子中碳数的增加而增大。其中后两者的表面膜压高达45~50mN/m,显著高于各类油膜膜压,满足集油剂对表面活性物质膜压的要求。4种脂肪羧酸在淡水中使柴油油膜的收缩率在1min时达到最大值,分别为80.0%、81.8%、83.8%和88.2%。它们的己醇、正庚醇、正辛醇、仲辛醇溶液的集油持续性,总体上随羧酸分子碳数增加而增大。其中十六烷酸和十八烷酸集油能力非常接近,它们的正庚醇、正辛醇和仲辛醇溶液使柴油膜面积收缩率在120h后仍保持在66.0%~70.2%。该类集油剂毒性低,易为生物降解,有实际应用前景。 相似文献
92.
93.
94.
95.
Dong-Soo Yoon Jae Sung Roh Sung-Man Lee Hong Koo Baik 《Journal of Electronic Materials》2003,32(8):890-898
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si
contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no
formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film
by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity
of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer.
Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the
RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system. 相似文献
96.
电子电路中抗EMI设计 总被引:3,自引:0,他引:3
电磁干扰(EMI)可分为传导干扰和辐射干扰,消除干扰的方法可以采用硬件方法和软件方法,硬件方法主要有屏蔽、接地、隔离和滤波等,而软件方法主要是滤波。笔者对各种方法进行总结,并指出各种方法所存在的问题以及适用场合,并对一些常用方法提出改进措施。 相似文献
97.
衍射法细丝直径的精密测量 总被引:4,自引:2,他引:2
分析了激光衍射法测量细丝直径技术中影响精度的几个主要因素,研究了一种微弱衍射条纹的精密处理及识别技术,有效地提高了测量精度,实测结果表明,文中讨论的技术能在10 ̄50μm的范围内实现正负0.1μm的重复精度,分辨力优于0.01μm。 相似文献
98.
99.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
100.
The purpose of this paper is to evaluate two methods of assessing the productivity and quality impact of Computer Aided Software Engineering (CASE) and Fourth Generation Language (4GL) technologies: (1) by the retrospective method; and (2) the cross-sectional method. Both methods involve the use of questionnaire surveys. Developers' perceptions depend on the context in which they are expressed and this includes expectations about the effectiveness of a given software product. Consequently, it is generally not reliable to base inferences about the relative merits of CASE and 4GLs on a cross-sectional comparison of two separate samples of users. The retrospective method that requires each respondent to directly compare different products is shown to be more reliable. However, there may be scope to employ cross-sectional comparisons of the findings from different samples where both sets of respondents use the same reference point for their judgements, and where numerical rather than verbal rating scales are used to measure perceptions. 相似文献