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71.
本文介绍了离子束混合工艺方法。与直接注入相比较,离子束混合所使用的设备造价低1/4—1/2,而生产效率可提高1—2个数量级,因而使生产成本大幅度降低,这无疑对离子束工艺的实际应用将产生巨大的促进作用。 通过对轴承材料(GCr15和Cr4Mo4V)经Cr、N、Ta不同元素的混合处理后,在0.5M H_2SO_4和0.1M NaCl的缓冲溶液中的阳极极化曲线表明经混合处理后的两种材料试样,其抗蚀能力和抗点蚀能力均大大提高,这与直接注入的试样效果是一致的。 通过俄歇谱仪和透射电镜的分析结果表明混合是成功的,且在一定的条件下,形成非晶组织。 本文的结论是,无论是离子的直接注入还是离子束混合,对提高轴承材料的抗腐蚀性能都是有效的方法,特别是离子束混合技术具有更大的应用前景。  相似文献   
72.
童晓阳  刘恒 《计算机工程》2003,29(20):188-190
研究了公安网上追逃系统的体系结构和系统的程序流程,阐述了ASP COM 后台比对服务的3层B/S模式面像网上比对的实现方法,最后给出系统的性能指标和特点。  相似文献   
73.
管壳式换热器流场三维数值模拟   总被引:16,自引:0,他引:16  
采用多孔介质方法 ,在PHOENICS 3 3程序的基础上建立了换热器的三维流动计算模型。引入体积穿透率、表面穿透率、分布阻力等来描述换热器内的管束。模型通过计算Halle等[1] 的实验工况来进行验证 ,并尝试用于计算 2 0 0MW低温供热堆主换热器内的流场  相似文献   
74.
In this paper we report the fabrication of ferroelectric Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) thin films on Si-on-Insulator (SOI) substrates with and without an electrode by pulsed excimer laser deposition combined with rapid thermal annealing. Based on the structural and interfacial characteristics analysis by X-ray diffraction (XRD), Rutherford backscattering spectroscopy (RBS), cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) and automatic spreading resistance measurement (ASR), the film structure and orientation were revealed to be dependent on the annealing time and annealing temperature as well as deposition temperature. From RBS spectra and XTEM observation it is shown that the PZT thin films did not interact with the top silicon layers of SOI and that the composition of the film was similar to the target. The ASR measurements showed that the electrical properties of PZT/SOI as well as PZT/Pt/SOI were abrupt, and that the electrical properties of the SOI substrates were still good after the PZT growth.  相似文献   
75.
推导出了成叠带状光纤在松套管中余长的两个计算公式,此两公式是带状光纤缆结构设计需要用到的基本公式。此外,还对带状光纤缆结构设计作了初步讨论。  相似文献   
76.
本文讨论了双臂协调约束系统的动力学问题.文中系统地描述了该系统的适应于计算机程序化的建模方法;推导了系统的动力学方程,并给出了用约束矩阵的正交补矩阵处理系统所受协调约束的方法;编制了相应的计算机辅助分析程序DRCRCS,并用该程序对算例进行了动力学的数值分析。  相似文献   
77.
78.
李民安  邹勇 《电子学报》1995,23(11):46-49
本文介绍一个新的建立统计宏模型的系统,它采用新的方法,得到简化的二次多项式,这种形式便于优化处理,适用于容差设计。  相似文献   
79.
80.
由于声电荷转移(ACT)这一新颖的高速缓冲抽样技术的发明,使得新一代高速高频信号处理器件的实现成为可能。本文研究了第二代平面结构的ACT器件转移沟道的电位分布特性,给出了平面结构ACT延迟线的设计,并研究了ACT器件的工艺实现。  相似文献   
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