SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管

在NH3和O2的混合气氛下,采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiO2/p-Si衬底上制备了氮掺杂ZnO薄膜.XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质量和高度的c轴择优取向性,(0002)面摇摆曲线的半峰宽仅为1.89.在此基础上制备了以氮掺杂ZnO薄膜为沟道层、以SiO2为绝缘层的底栅式薄膜晶体管.电学测试表明该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为5.15V,电流开关比为104,电子的场迁移率达到2.66cm2/(V·s).     

LMBE法生长Mg0.2Zn0.8O及MSM型紫外探测器的制备

采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,制备出MSM型Mg0.2Zn0.8O光电导紫外探测器.对响应时间的测试表明,探测器的上升时间仅为14.3ns,下降时间为6.5μs.     

用于10Gbit/s传输的对接集成DFB-LD/EA-MD光源

报道了用于10Gbit/s传输的DFB激光器和EA调制器对接集成器件的设计、制作和器件特性.工作主要集中于两个方面:提高激光器和调制器间的光学耦合;通过减小调制器电容提高调制带宽.集成器件显示出了良好的静态和高频特性:阈值电流典型值为15mA,最小值为8mA;100mA激光器偏置电流下,输出功率大于10mW;对消光比、电学回波损耗和调制带宽进行了测试,3dB带宽的测量值超过10GHz.     

基于Web的"接口技术"课程研究性学习教学设计

在建构主义学习理论的指导下,分析了研究性学习的教学特点,提出基于Web的“接口技术”课程研究性学习教学设计,在该教学设计指导下,完成网络化教学系统平台的建设,并在此基础上进行了相关的教学试验活动。试验表明,基于Web的研究性学习能够改善教学手段,提高教学质量,激发学生的学习兴趣,提高学生的自主学习能力、实践技能和综合素质。     

基于复合介质结构的圆波导高增益阵列天线研究

该文提出了一种基于复合介质结构覆层来提高圆波导天线阵列增益的新方法,利用数值分析方法对异向介质结构和基于异向介质结构圆波导高增益天线阵列的电磁特性进行了数值仿真研究,并将它们与传统圆波导天线阵列进行了比较。结果表明, 应用这种复合介质覆层结构可以有效地实现辐射能量的聚集,从而提高了天线阵列的增益,降低了天线阵列副瓣电平,有效地改善了天线阵列的辐射特性。     

某机载雷达发射机的设计

现代雷达对于发射机体积、重量、可靠性、可维护性和效率方面都有了非常严格的要求。为了适应这样的要求,介绍了某机载雷达发射机的设计方法,重点讨论了高压电源、发射机调制器以及检控电路的设计原则,将高效率的软开关高压电源和大脉宽高重复频率的调制器应用于发射机的设计中,有效地提高了雷达发射机的整体效率,并减小了发射机的体积、重量。通过系统设计提高了电真空雷达发射机的工作可靠性。并针对如何解决体积小、重量轻情况下的电磁兼容问题,低气压条件下的高压绝缘与散热矛盾作了较详细说明。这一设计方法已经成功地运用于某机载雷达发射机的工程设计当中,并且取得了很好的应用效果。     

一种改进的一致性扩散图像增强方法

一致性扩散是分析图像中定向结构的重要的预处理步骤,现有的一致性扩散图像增强方法难以识别图像中的弱边界。本文提出了一种改进的扩散方法,该方法构建了一种结合二阶方向导数信息的结构张量,能够精确分析图像中的复杂弱边界,同时与经典结构张量互为补充以检测图像的强边界。在此基础上设计了新的扩散张量,并采用了基于(加性分裂算子AOS)策略的数值计算方法。通过对比实验证明,该文算法的效果良好并具有很高的效率, 实现了在去除噪声的同时精确保护图像中的强弱边界。     

高功率激光冲击处理装置及其驱动冲击波实验研究

对实验研制的高功率、短脉冲强激光冲击处理装置进行了输出特性研究,其输出能量不稳定度和激光脉冲功率不稳定度分别为±3.8%和±6.5%。采用透镜列阵的焦斑均匀化系统使光强分布起伏度达到±12%。并利用新型压电传感器(PVDF压电传感器)对其引发的激光冲击波压力进行了实时测量。     

基于反射型超表面的太赫兹偏折涡旋波束生成

太赫兹涡旋波束可以提高雷达通信系统通信容量及成像系统的分辨率,如何有效地产生这种波束成为近期研究热点之一。为了克服传统方式的缺点,该文设计加工了5个工作在太赫兹频段的反射型超表面,它们可以产生±1、±2和3共5个不同模态的涡旋波束。为了避免馈源对涡旋波束的遮挡,通过平面反射阵原理控制了波束的偏转方向。超表面单元为3层结构,其中,上层为金属结构,控制上层结构中8个枝节的长度,可以在基本不改变超表面单元反射系数的情况下,调整它的反射相位。中间层为介质层,为了使超表面单元有较高的反射系数,介质层下方为一金属地。超表面单元仿真显示,其同极化反射率在90%以上,相位分布也满足超表面设计需求。超表面的仿真及测试结果表明,在340 GHz附近,不同超表面在设计的方向上产生了对应模态的涡旋波束,并且涡旋波束中的主模态能量占比最高。      

Single event soft error in advanced integrated circuit

As technology feature sizes decrease, single event upset (SEU), and single event transient (SET) dominate the radiation response of microcircuits. Multiple bit upset (MBU) (or multi cell upset) effects, digital single event transient (DSET) and analogue single event transient (ASET) caused serious problems for advanced integrated circuits (ICs) applied in a radiation environment and have become a pressing issue. To face this challenge, a lot of work has been put into the single event soft error mechanism and mitigation schemes. This paper presents a review of SEU and SET, including: a brief historical overview, which summarizes the historical development of the SEU and SET study since their first observation in the 1970's; effects prominent in advanced technology, which reviews the effects such as MBU, MSET as well as SET broadening and quenching with the influence of temperature, device structure etc.; the present understanding of single event soft error mechanisms, which review the basic mechanism of single event generation including various component of charge collection; and a discussion of various SEU and SET mitigation schemes divided as circuit hardening and layout hardening that could help the designer meet his goals.