全文获取类型
收费全文 | 52283篇 |
免费 | 5180篇 |
国内免费 | 2739篇 |
专业分类
电工技术 | 3501篇 |
技术理论 | 6篇 |
综合类 | 3990篇 |
化学工业 | 8630篇 |
金属工艺 | 2781篇 |
机械仪表 | 3312篇 |
建筑科学 | 4403篇 |
矿业工程 | 1568篇 |
能源动力 | 1719篇 |
轻工业 | 3957篇 |
水利工程 | 1076篇 |
石油天然气 | 2474篇 |
武器工业 | 547篇 |
无线电 | 6144篇 |
一般工业技术 | 5976篇 |
冶金工业 | 2193篇 |
原子能技术 | 615篇 |
自动化技术 | 7310篇 |
出版年
2024年 | 283篇 |
2023年 | 1027篇 |
2022年 | 1882篇 |
2021年 | 2505篇 |
2020年 | 1834篇 |
2019年 | 1544篇 |
2018年 | 1682篇 |
2017年 | 1848篇 |
2016年 | 1641篇 |
2015年 | 2279篇 |
2014年 | 2759篇 |
2013年 | 3259篇 |
2012年 | 3642篇 |
2011年 | 3679篇 |
2010年 | 3503篇 |
2009年 | 3329篇 |
2008年 | 3202篇 |
2007年 | 2811篇 |
2006年 | 2804篇 |
2005年 | 2217篇 |
2004年 | 1594篇 |
2003年 | 1334篇 |
2002年 | 1432篇 |
2001年 | 1257篇 |
2000年 | 1110篇 |
1999年 | 1135篇 |
1998年 | 841篇 |
1997年 | 715篇 |
1996年 | 674篇 |
1995年 | 510篇 |
1994年 | 463篇 |
1993年 | 316篇 |
1992年 | 277篇 |
1991年 | 199篇 |
1990年 | 149篇 |
1989年 | 132篇 |
1988年 | 82篇 |
1987年 | 59篇 |
1986年 | 44篇 |
1985年 | 32篇 |
1984年 | 25篇 |
1983年 | 17篇 |
1982年 | 18篇 |
1981年 | 13篇 |
1980年 | 17篇 |
1979年 | 7篇 |
1974年 | 2篇 |
1970年 | 2篇 |
1959年 | 3篇 |
1951年 | 8篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
121.
真空微电子三极管是近年来兴起与发展的真空微电子学中的一类重要器件。本文从真空微三极管的工作特性出发,分析了这类器件中所需考虑的几何参数和工作特性的关系,并给出了一些理论和实验公式,为今后的设计提供一些参考。 相似文献
122.
油性及极压添加剂为磨削液中主要减摩添加剂,本文从物理及化学两个方面分析了两种添加剂在磨削过程中的作用机理,说明了两种添加剂的相辅作用,并采用不同的磨削液进行了实验验证. 相似文献
123.
124.
针对高强度船板纵裂纹轧后退废过高的现状,分析原因并优化冶炼、连铸工艺及操作,有效地降低高强度船板的退废率。 相似文献
125.
126.
CMOS scaling into the nanometer regime 总被引:11,自引:0,他引:11
Yuan Taur Buchanan D.A. Wei Chen Frank D.J. Ismail K.E. Shih-Hsien Lo Sai-Halasz G.A. Viswanathan R.G. Wann H.-J.C. Wind S.J. Hon-Sum Wong 《Proceedings of the IEEE. Institute of Electrical and Electronics Engineers》1997,85(4):486-504
Starting with a brief review on 0.1-μm (100 nm) CMOS status, this paper addresses the key challenges in further scaling of CMOS technology into the nanometer (sub-100 nm) regime in light of fundamental physical effects and practical considerations. Among the issues discussed are: lithography, power supply and threshold voltage, short-channel effect, gate oxide, high-field effects, dopant number fluctuations and interconnect delays. The last part of the paper discusses several alternative or unconventional device structures, including silicon-on-insulator (SOI), SiGe MOSFET's, low-temperature CMOS, and double-gate MOSFET's, which may lead to the outermost limits of silicon scaling 相似文献
127.
128.
129.
Jing Yuan Yury Stepanenko 《International Journal of Adaptive Control and Signal Processing》1992,6(2):111-126
A new adaptive controller is presented here for rigid-body robotic manipulators. It is stable and robust with respect to a class of external disturbances. The robustness of the adaptive controller is established without the ‘slow-varying’ assumption and the computationally demanding regressor matrix. The control law consists of a non-adaptive PD control part and an adaptive control part. It uses two adaptive matrices to compensate two uniformly bounded coefficient matrices derived from the original dynamics. A α σ|q?|-modified adaptive law is designed to adjust the adaptive matrices. A Lyapunov-type stability analysis indicates that the closed-loop system is uniformly ultimately bounded. The tracking error and compensation error will eventually converge into a closed region, which can be made arbitrarily small by adjusting the controller parameters. Simulation results are included to demonstrate the performance of the proposed controller. 相似文献
130.
阐述了功率GaAsMESFET器件热阻测试中温敏参数VGSF和测试电流Im的选取,给出了1~5W器件典型温敏参数的温度测试系数M与测试电流Im的关系。讨论了测试延迟时间tmd对△VGSF测量值的影响和三种校正方法。 相似文献