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71.
温州市龙湾段标准堤地基土中普遍存在一层海积淤泥,其强度低,压缩性高,承载力低,不能满足标准堤填筑及水闸运行的要求。采用预压法进行地基处理,取得的地基沉降、水平位移、孔隙水压力等现场观测资料,总结分析了该段海积淤泥地基的变形规律和特点。并提供了有关的原型观测数据,其沉降曲线规律性较好。  相似文献   
72.
高抗挤厚壁套管的性能及应用效果评价   总被引:1,自引:1,他引:0  
王辉 《石油矿场机械》2006,35(3):101-103
中原油田套管损坏的主要原因是现有套管强度不够,无法抵抗盐膏层段的巨大外挤力。开发了TP130TT型高抗挤厚壁套管,其强度能很好地抵抗盐膏层巨大外挤力。实验室试验表明,各项性能指标达到了设计要求,现场使用取得了很好的效果,解决了中原油田盐膏层段套管强度不足的难题。  相似文献   
73.
基于Matlab与VC混合编程的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
针对Matlab和Visual C^ 应用的特点,讨论了在VC中调用Matlab的3种方法,着重介绍了利用Matcom和Matlab编译器进行混合编程的方法和步骤,为开发处理大量数据的应用程序提供了依据。  相似文献   
74.
高温酸化助排剂HC2-1的研究   总被引:12,自引:2,他引:10  
为了满足高温油藏和深井酸化作业残酸返排的需要,通过表面活性剂的筛选和复配研究,得到了高温酸化助排剂HC2—1。其性能评价结果表明,HC2—1具有使用浓度低、表面活性高的特点,在20%的HCI溶液中,当其浓度为50mg/L时,表面张力为20.7mN/m;具有良好的耐温性能,在180℃下恒温48h,HC2—1仍保持较高的表面活性;具有良好的耐盐能力,加有HC2—1的20%HCl溶液和CaCO3反应至HCl完全消耗,整个反应过程体系无新相生成且表面张力基本不变;可增大酸液体系的润湿角,进一步降低毛细管阻力,使酸液返排率由46%提高到97%,在促进酸液返排的同时与原油不发生乳化反应。  相似文献   
75.
聚甲亚胺改性尼龙6复合材料的等温结晶动力学   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用差示扫描量热法(DSC)对聚甲亚胺(PAM)/尼龙6复合材料等温结晶过程进行了研究。结果表明,PAM的加入使得基体的结晶速率增大,尤其是当含量为5%时,半结晶期明显减少。研究还发现,该体系的等温结晶过程完全可以用Avrami方程来描述,各试样的Avrami指数均在2-3之间,表明Avrami指数,球晶生长方式基本不受聚甲亚胺加入的影响。基体中原位形成的聚甲胺微纤起到了诱导结晶的作用,使得基体的结晶速率加快,但随着微纤含量的增加,由于分散性能变差而使得诱导结晶的能力减弱,表现为结晶速率又有所降低。  相似文献   
76.
本文介绍了变频器组成结构及相应故障与维修对策。  相似文献   
77.
本文介绍了大型牵伸卷绕机的计算机控制系统,以西门子MMV型变频器为驱动装置,西门子PLC300为控制核心,根据西门子USS协议和MPI协议,实现PLC与变频器、TP27触摸显示屏的通信,取得了较高的控制精度和稳定性,充分满足生产过程的需要,具有广阔的应用前景。  相似文献   
78.
子空间方法盲多用户检测技术分析与探索   总被引:1,自引:0,他引:1  
张晋  张辉 《电讯技术》2003,43(2):93-96
着重分析了基于子空间跟踪的盲线性多用户检测算法 ,并对其内部算法模块进行了仿真比较 ,最后对算法性能改善方法提出了自己的新思路  相似文献   
79.
新产品研发是建陶企业可持续发展的核心   总被引:2,自引:0,他引:2  
刘玲  盛革 《山东陶瓷》2002,25(3):38-41
新世纪我国建陶企业在整个国民经济的带动下将进一步发展,入世后经济全球化的市场竞争格局,建陶企业只有走新产口研发之路,严格企业管理,才会在日趋激烈的市场竞争中得以生存和可持续发展。  相似文献   
80.
Speed superiority of scaled double-gate CMOS   总被引:1,自引:0,他引:1  
Unloaded ring-oscillator simulations, performed with a generic process/physics-based compact model for double-gate (DG) MOSFETs and supplemented with model-predicted on-state currents and gate capacitances for varying supply voltages (VDD), are used to show and explain the speed superiority of extremely scaled DG CMOS over the single-gate (e.g., bulk-Si) counterpart. The DG superiority for unloaded circuits is most substantive for low VDD < ~1 V  相似文献   
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