宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

低温脂肪酶产生菌的筛选、鉴定及其部分酶学性质

从南极乔治王岛冻土来源的76株低温细菌中筛选到13株低温脂肪酶产生菌，对其中的BTsl0022菌株进行鉴定。通过生理生化特征、16s rDNA基因序列的同源性和系统发育分析发现，菌株RTsl0022属于假单胞菌属(Pseudomonas)，但与已定名的假单胞菌有一定的差异，与未定名的Pseudomonas sp．PsB的亲缘关系最接近，故将其暂定名为Pseudomonas sp．BTsl0022。对该菌脂肪酶的酶学性质初步研究表明，酶的最适作用温度为24℃，对热敏感，60℃处理30min仅残留25％酶活性，酶的适宜作用pH范围在7．0～9．0，最适pH为8．0。     

复杂环境下的WCDMA网络精确规划探讨

首先介绍了传统规划方法，然后着重介绍了精确规划方法所采用的相关新技术，最后简要介绍了笔者应用仿真方法对实际工程进行检验的结果。     

温州市龙湾段标准堤工程软土地基变形原位观测

温州市龙湾段标准堤地基土中普遍存在一层海积淤泥,其强度低,压缩性高,承载力低,不能满足标准堤填筑及水闸运行的要求。采用预压法进行地基处理,取得的地基沉降、水平位移、孔隙水压力等现场观测资料,总结分析了该段海积淤泥地基的变形规律和特点。并提供了有关的原型观测数据,其沉降曲线规律性较好。     

高抗挤厚壁套管的性能及应用效果评价

中原油田套管损坏的主要原因是现有套管强度不够,无法抵抗盐膏层段的巨大外挤力。开发了TP130TT型高抗挤厚壁套管,其强度能很好地抵抗盐膏层巨大外挤力。实验室试验表明,各项性能指标达到了设计要求,现场使用取得了很好的效果,解决了中原油田盐膏层段套管强度不足的难题。     

基于Matlab与VC混合编程的研究

针对Matlab和Visual C^ 应用的特点，讨论了在VC中调用Matlab的3种方法，着重介绍了利用Matcom和Matlab编译器进行混合编程的方法和步骤，为开发处理大量数据的应用程序提供了依据。     

聚甲亚胺改性尼龙6复合材料的等温结晶动力学

采用差示扫描量热法（DSC）对聚甲亚胺（PAM）/尼龙6复合材料等温结晶过程进行了研究。结果表明，PAM的加入使得基体的结晶速率增大，尤其是当含量为5%时，半结晶期明显减少。研究还发现，该体系的等温结晶过程完全可以用Avrami方程来描述，各试样的Avrami指数均在2-3之间，表明Avrami指数，球晶生长方式基本不受聚甲亚胺加入的影响。基体中原位形成的聚甲胺微纤起到了诱导结晶的作用，使得基体的结晶速率加快，但随着微纤含量的增加，由于分散性能变差而使得诱导结晶的能力减弱，表现为结晶速率又有所降低。     

重复压裂气井产能模拟研究

由于重复压裂气井原有裂缝的失效程度难以评价。导致重复压裂气井的产能预测常常有很大的误差。为此，根据重复压裂气井的压前产量和舍水率，拟合了原有裂缝的有效率，在考虑新裂缝和原有裂缝共同作用的情况下，建立了气、水两相平面二维的裂缝-油藏数学模型，通过对模型的数值求解，对重复压裂气井进行了产能评价。研究表明，在考虑新、老裂缝共同作用下的产能评价方法，能更为准确地预测重复压裂后的生产动态情况，对压裂时机的确定、压后经济效益的预测都具有重要的指导意义。     

子空间方法盲多用户检测技术分析与探索

着重分析了基于子空间跟踪的盲线性多用户检测算法 ,并对其内部算法模块进行了仿真比较 ,最后对算法性能改善方法提出了自己的新思路