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992.
基于DeepLabV3+进行图像分割时,在特征提取阶段忽略了不同级别的特征图中存在的特征重要程度不同,丢失了大量的细节信息,致使分割效果不佳.针对该问题,提出了一种基于DeepLabV3+与注意力机制相结合的图像语义分割算法.在骨干网络Xception模型中提取两条低级特征作为解码器的输入特征,提高特征提取的准确性;采... 相似文献
993.
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使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善. 相似文献
995.
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997.
998.
999.
研究了有机交叉点存储器件中,有机物与电极界面化学反应形成的纳米颗粒对电学特征的影响.器件的阳极和阴极分别为氧化铟锡(ITO)导电玻璃和真空热蒸发沉积的~薄膜,有机半导体层为真空热蒸发沉积的2-amino-4,5-dicyanoimidazole(AlDcN)薄膜.通过透射电子显微镜(TEM)和X光电子能谱(XPS)测量,在AIDCN/ITO界面上发现SnOx纳米颗粒形成,并证明此纳米颗粒的形成是由于ITO中的高价氧化锡和AIDCN之间的固相反应,纳米颗粒中的Sn元素主要是从ITO表面的锡富集层中析出.研究证明了界面上纳米颗粒的形成是器件双稳态现象的关键,用这种方式制成的交叉点结构的三层有机存储器件其开关比达到107~1011. 相似文献
1000.