用透过率测试曲线确定半导体薄膜的光学常数和厚度

介绍了一种简单而准确地确定薄膜光学常数和厚度的方法.借助于Forouhi-Bloomer物理模型,用改进的单纯形法拟合分光光度计透过率测试曲线,获得半导体薄膜的光学常数和厚度.对射频磁控溅射和直流反应溅射制备的玻璃基板上的α-Si和ZnO薄膜进行了实验,拟合的理论曲线和实验曲线吻合得非常好.计算得到的结果与文献报道的结果和台阶仪的测量结果一致,误差小于4%.该方法对无定形或多晶的半导体薄膜都适用,也可以用于计算厚度较薄的薄膜.     

采用MEMS技术制作的螺线管电感

采用微机电系统技术制作了螺线管电感.为了获得高电感量和Q值,采用UV-LIGA、干法刻蚀、抛光和电镀技术,研制的电感大小为1500μm×900μm×70μm,线圈匝数为41匝,宽度为20μm,线圈之间的间隙为20μm,高深宽比为3.5:1.测试结果表明电感量最大值为6.17nH,Q值约为6.     

光电耦合器件g-r噪声模型

在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生-复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管.基于载流子数涨落机制,建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型.实验结果和本文模型符合良好.     

Characterization of the temperature sensitivity of gain and recombination mechanisms in 1.3-/spl mu/m AlGaInAs MQW lasers

The potential of 1.3-/spl mu/m AlGaInAs multiple quantum-well (MQW) laser diodes for uncooled operation in high-speed optical communication systems is experimentally evaluated by characterizing the temperature dependence of key parameters such as the threshold current, transparency current density, optical gain and carrier lifetime. Detailed measurements performed in the 20/spl deg/C-100/spl deg/C temperature range indicate a localized T/sub 0/ value of 68 K at 98/spl deg/C for a device with a 2.8 /spl mu/m ridge width and 700-/spl mu/m cavity length. The transparency current density is measured for temperatures from 20/spl deg/C to 60/spl deg/C and found to increase at a rate of 7.7 A/spl middot/cm/sup -2//spl middot/ /spl deg/C/sup -1/. Optical gain characterizations show that the peak modal gain at threshold is independent of temperature, whereas the differential gain decreases linearly with temperature at a rate of 3/spl times/10/sup -4/ A/sup -1//spl middot//spl deg/C/sup -1/. The differential carrier lifetime is determined from electrical impedance measurements and found to decrease with temperature. From the measured carrier lifetime we derive the monomolecular ( A), radiative (B), and nonradiative Auger (C) recombination coefficients and determine their temperature dependence in the 20/spl deg/C-80/spl deg/C range. Our study shows that A is temperature independent, B decreases with temperature, and C exhibits a less pronounced increase with temperature. The experimental observations are discussed and compared with theoretical predictions and measurements performed on other material systems.     

Probing stress effects in HfO2 gate stacks with time dependent measurements

Effects of constant voltage stress (CVS) on gate stacks consisting of an ALD HfO₂ dielectric with various interfacial layers were studied with time dependent sensing measurements: DC I–V, pulse I–V, and charge pumping (CP) at different frequencies. The process of injected electron trapping/de-trapping on pre-existing defects in the bulk of the high-κ film was found to constitute the major contribution to the time dependence of the threshold voltage (V_t) shift during stress. The trap generation observed with the low frequency CP measurements is suggested to occur within the interfacial oxide layer or the interfacial layer/high-κ interface, with only a minor effect on V_t.     

利用Gibbs采样的同频混合信号单通道盲分离

针对非合作接收的单通道同频数字调制混合信号,提出一种基于Gibbs采样的分离算法。该算法利用统计的方法获得未知符号序列概率密度的随机样本,运算复杂度随信道阶数的增加不呈指数增长。重点研究了基于单符号对、多符号对的分离算法和信道响应的跟踪,并对Gibbs分离算法和PSP分离算法的性能进行了详细的分析比较。仿真结果表明,针对2路QPSK调制的混合信号,在与L=4时的PSP算法具有近似分离性能的同时,Gibbs分离算法可使复杂度降低近17倍。     

基于动态插桩的缓冲区溢出漏洞检测技术研究

缓冲区溢出漏洞是一类常见的软件漏洞,其对计算机系统造成的危害非常大。本文针对这类漏洞提出一种基于二进制文件动态插桩并根据程序运行状态来判定缓冲区溢出的检测方法,并实现了基于该方法的检测系统。通过分析缓冲区溢出的原理以及常见攻击方法的特点,提出了基于覆盖返回地址、虚函数表、异常处理链表以及溢出后执行特定API的缓冲区溢出检测方法。实验表明该系统能有效检测到缓冲区溢出并定位溢出点从而辅助对漏洞原理进行分析。     

基于多模速率方程电路建模的太赫兹量子级联激光器稳态性能及输出光谱特性分析

通过改进的三能级多模态速率方程,运用电路建模 方法,建立了太赫兹(THz)量子级联激光器(QCL)的一种等效电路模型。由于基于多模 态效应进行建模,所建模型能够有效表 征多模态效应对THz QCL光电性能的影响。模型中,涉及的非辐射散射时间、自激发射弛豫 时间以及电子逃 逸时间均根据器件有源层结构参数通过自洽数值求解获得。采用所建模型,可运用通用电路 仿真工具实现对 THz QCL光电特性的模拟分析,克服了数值分析方法计算复杂、模拟时间长的缺点。运用电 路仿 真工具PSPICE对2.47THz QCL的稳态特性和输出光谱特性进行了模拟 分析,并讨论了温度变化对器 件阈值电流、输出光功率以及输出频谱的影响,分析结果与已报道的理论和实验结果一致 ,验证了本文方法的适用性和准确性。     

相位漂移对相位编码QKD系统及截获-重发攻击的影响研究

针对相位编码量子密钥分发(QKD)系统中存在的相位漂移和截获-重发攻击,分析了双马赫-曾德尔干涉仪QKD系统,给出了探测器的输入信号模型,计算了系统量子误码率及窃听信息量,并为提高密钥生成率提供了一种可能的方法。研究表明,相位漂移会使系统误码率增加,稳定性降低;相比理想的截获-重发攻击,窃听信息量有所下降,因此密性放大过程对窃听信息的估计值可以相对减小,最终密钥生成率得以提高。在不考虑传输光纤中的相位相对漂移时,误码率随相位漂移角度呈余弦变化,全部截获-重发攻击时的变化周期是无窃听时的一半,变化频率更加剧烈。55%部分窃听时,若合法通信者选择误码阈值为15%,窃听者可获得25.5%的信息量且不被发现。     

石英音叉陀螺的温度特性及其补偿方法

石英音叉陀螺的零偏随温度的改变而变化,根据石英音叉陀螺的工作原理和3种零偏温度特性,建立了相应的数学模型。根据不同的数学模型设计相应的补偿电路,并通过具体的实验数据分析补偿的效果和各种补偿方式的适应性。