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Phase-change read-and-write memory (PRAM) is a promising memory that can solve the problems of conventional memory—scalability, read/write speed, and reliability. We will review the opportunities and technical challenges of PRAM. The most important challenge of PRAM is the reduction of the writing current. Various approaches to reduce the writing current will be reviewed and the prospects of PRAM are discussed. 相似文献
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Frantz Rowe 《欧洲信息系统杂志》2006,15(3):244-248
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This article proposes an approach for investigating the exponential stability of a nonlinear
interval dynamical system with the nonlinearity of a quadratic type on the basis of the Lyapunov’s direct method. It also
constructs an inner estimate of the attraction domain to the origin for the system under consideration. 相似文献
30.