红外焦平面非均匀性噪声的空间频率特性及空间自适应非均匀性校正方法改进

分析了红外焦平面阵列非均匀性噪声的空间频率特性,指出空间低频噪声为其中的主要成分．利用实际IRF—PA定标数据,也得出了相同结论．针对传统空域自适应校正方法去除低频空间噪声存在的不足,本文提出采用一点校正和空域自适应校正相结合的方法．实验结果表明,新方法在空间低频噪声占优时能获得好的校正效果．     

新型多功能漏电保护器芯片的设计

利用数模混合信号CMOS工艺实现了一种新型漏电开关保护器芯片.与传统的模拟电路保护芯片相比,这一芯片充分利用了数字电路带来的好处:降低了功耗,采用"定时延"方法大大提高了保护控制的精度,集成了电源的过压、过载保护功能以及自动重合闸功能,提供了适应不同应用环境的可编程性,同时对每一个输入的漏电信号都进行有效性检测,减小漏电保护器的误触发率,提高了抗干扰能力.     

应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺

开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺，形成了较为优化的施镀流程，实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层．其中针对单晶硅表面的特点，采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法，优化了氯化钯对表面的激活时间，使得镀层质量得到提高．提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法，施镀后获得的铜镀层的电阻率为2.1μΩ·cm，铜/镍复合镀层的方块电阻为0.19Ω/□．在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜，使得该元件的品质因数超过25．     

AlN阻挡层对AlGaN/GaNHEMT器件的影响

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaN HEMT器件和AlGaN/AlN/GaN HEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响.     

三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.     

LVDS接口终端匹配技术研究

利用传输线理论分析了LVDS的特性阻抗,将此作为终端匹配的依据,讨论了几种典型LVDS接口的匹配方案和抗噪声措施,并通过试验验证了匹配效果。     

一种新的CDMA系统空时分组码结构

本文提出了一种新的采用空时分组码的CDMA系统上行链路的结构。发射端每个用户对发送信号先进行扩频,再对扩频后的信号进行空时分组编码后送至发射天线。同时本文还相应提出了接收端对接收信号的处理方法。仿真结果表明,该结合空时分组码的CDMA系统的误码率优于一般CDMA系统的误码率。     

一种在接收端实现的TCP-Friendly拥塞控制机制

本文提出了一种基于速率的单播TCP-Friendly拥塞控制算法——RAAR(Rate Adaptation at Receivers)控制机制.RAAR是一种接收端的速率自适应算法,它抛弃了每包反馈机制,采用GAIMD(General Additive Increase Multiplicative Decrease)策略进行拥塞控制,其主要控制操作由接收方完成.本文建立了简化的数学模型对其进行吞吐量的分析,得到在RAAR中用于TCP-Friendly 的GAIMD拥塞控制中α与 β的关系.通过与TFRC及TEAR这两种重要的TCP-Friendly协议进行对比研究发现,RAAR协议在对TCP协议的友好性,协议内的公平性以及速率的平滑性等方面具有更好的综合性能.由于RAAR不需进行每包反馈,且主要功能在接收方实现,因此可方便地将该机制引入多媒体组播传输系统中.     

非线性记录对粒子场同轴全息再现像的影响

推导粒子场同轴全息非线性记录对再现像影响的公式,模拟了不同形状粒子在非线性段记录时再现像。实验上得到非线性记录下不同形状粒子的再现像,验证了数值模拟结果。     

基于统计方法的数码图像处理

本文首先把学生证上的单个印刷体数码图像转化为位图格式，然后根据一定的阈值对图像进行色调过滤和二值化处理，并分块求其亮度平均，得到0和1组成的兼顾精度和复杂度的二值矩阵，最后把矩阵存储为文件供后续人工神经网络识别使用。实验结果表明该方案是可行的、有效的。