溅射法制备BST纳米薄膜电学性能的研究

采用射频磁控溅射与微细加工技术,制得Cu/BST/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM(金属-绝缘体-金属)微电容结构。研究了不同退火时间、薄膜厚度对钛酸锶钡(BST)纳米薄膜介电常数和漏电流密度的影响,结果表明,随着退火时间的延长,BST纳米薄膜结晶度提高,介电常数增加,退火30 min的纳米薄膜具有最高的介电常数和较小的漏电流密度。同时还得出介电常数随薄膜厚度的减少而减少,在0.1 MV/cm下,90 nm和50 nm薄膜的漏电流密度分别为5.35×10-8A/cm2和6×10-6A/cm2。     

用高速DSP实现雷达地物杂波模拟

把高速数字信号处理器(DSP)用于雷达的杂波模拟是一项很有前景、且正在被广泛应用的技术。文中从雷达杂波的分布特性出发,分析了低分辨率雷达的地物杂波的幅度概率密度分布和功率谱分布特性。并建立了一种有效的快捷的杂波模拟算法模型,以ADSP-TS101S为核心,设计完成了采用并行处理结构的一种雷达杂波实时模拟系统。     

混沌DCSK抗噪和抗多径干扰的性能分析

目前各种混沌键控调制方案中，混沌差分键控（DCSK）有着最优的抗噪性能。主要研究混沌DCSK调制在加性高斯白噪声（AWGN）信道和两径瑞利衰落延时信道（two—ray Rayleigh fading channel with delay）的误码率公式，并对其误码率特性进行相应的仿真和分析，最后再与CSK系统的性能做比较。     

不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响

从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。     

浅析DC1平面NGN南京组网安全性测试方案

随着软交换技术的日益成熟。从网络演进的战略和业务竞争的需要,NGN的建设和大规模商用必将日益加速。如何实现组网的安全配置,提供业务维护的实时保障,将成为必须重视的问题,通过这次的中国电信DC1平面NGN南京组网安全性测试,希望能够为以后软交换组网安全的探索提供一些有用的帮助。     

MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

表面织构对红光LED发光的影响

运用蒙特卡罗法模拟二维红光LED表面织构对LED光提取效率的影响.模拟了不同形状的表面织构对应的光强变化率.选取刻蚀深度为4μm、腐蚀宽度为2μm、倾角为40°、周期为2μm的表面图形对LED进行粗化实验.结果显示,引入表面织构后光强比常规LED提高了20.56%;并对模拟结果与实验结果进行了分析,结果表明引入表面织构可以有效地提高LED的光提取效率.     

基于MOS Model 20的RF-S0I LDMOS大信号建模

提出了一种新的基于Philips MOS Model 20(MM20)的RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOS(1aterally dif-fused MOS)大信号等效电路模型.描述了弱雪崩效应以及由热效应引起的功率耗散现象.射频寄生元件由实验测得的S参数解析提取,并通过必要的优化快速准确地获得最终值.模型的有效性是通过-20栅指(每指栅长L=lμm,宽W=50μm)体接触高阻RF-SOl LDMOS在直流,交流小信号和大信号条件下的实验数据验证的.结果表明,直流、S参数(10MHz～20.01GHz)以及功率特性的仿真和实验测得数据能够很好地拟合.说明本文提出的模型具有良好和可靠的精度.本文完成了对MM20在RF-SOI LDMOS大信号应用领域的拓展.模型由Verilog-A描述,使用ADS(hpeesofsim)电路仿真器.     

1550nm低推挽电压聚合物定向耦合电光开关的设计

应用保角变换法、镜像法、耦合模理论和电光调制理论设计了一种推挽电极聚合物脊形波导定向耦合电光开关,阐述了基本结构和工作原理,给出了器件的设计和优化过程,主要分析了耦合长度、开关电压、输出光功率、插入损耗、串扰等特性.为了实现正常的开关功能,讨论了制作公差、波谱漂移以及单模光纤耦合损耗对器件性能的影响.模拟结果表明,所设计的开关的耦合长度为3082μm,开关电压为2.14V;插入损耗小于1.14dB,串扰小于-30dB.与BPM仿真结果以及实验结果的对比表明,文中提出的波导和电极的理论分析与计算方法具有较高的精度和可行性.     

Dilation-run wavelet image coding

The run-length coding and the morphological representation are two classical schemes for wavelet image coding. The run-length coders have the advantage of simplicity by recording the lengths of zero-runs between significant wavelet coefficients but at the expense of yielding an inferior rate-distortion performance. The morphology-based coders, on the other hand, utilize the morphological dilation operation to delineate the clusters of significant coefficients for improving coding performance. In this paper, a novel dilation-run image coding algorithm is developed by taking the advantages of both schemes, in which the clustered significant coefficients are extracted by using the morphological dilation operation and the insignificant coefficients between the extracted clusters are coded by using the run-length coding method. The proposed dilation-run image coder is implemented in the framework of bitplane coding for producing embedded bitstreams. Compared with several state-of-the-art wavelet image coding methods, the proposed dilation-run image coding method achieves comparable rate-distortion coding performance, especially more attractive for fingerprint type of imageries.