平衡阀和双向液压锁的正确选用

双向液压锁和平衡阀在一定场合下都能作为闭锁元件使用，可以保证工作装置不会因自重等外部原因出现下滑、超速或窜动，但在一些特定速度载荷的情况下却不能互换使用。下面针对2种产品的结构形式，谈谈笔者的一些看法。     

MIP-CGP工艺专用催化剂CGP-1的开发与应用

阐述了生产汽油组分满足欧Ⅲ排放标准并多产丙烯的催化裂化工艺（简称MIP-CGP）专用催化剂（简称CGP-1）的研究开发与工业应用结果。CGP-1催化剂的基质具有良好的容炭性能，使活性组元受到良好保护，其优势作用在第二反应区得以充分发挥，具有更高的氢转移活性和强的汽油小分子烯烃裂化活性。中国石化九江分公司和镇海炼化公司的MIP-CGP工业试验标定结果表明，与常规FCC相比，采用CGP-1催化剂的MIP-CGP技术在生产烯烃体积分数小于18％的汽油组分的同时，丙烯产率达到8％以上。此外，汽油诱导期大幅提高，抗爆指数增加；总液体收率有所提高，干气产率下降，焦炭选择性良好。     

固有频率在车轮设计有限元分析中的应用

以三维软件进行车轮造型,用CAD软件建立固有频率分析数学模型,对车轮固有频率进行分析和处理.结合其他试验的分析,对车轮进行优化设计.     

农村通自来水工程若干技术问题初探

根据在农村通自来水工程实践中积累的经验,提出并较好地解决了农村供水工程的评价标准,设计供水时间的确定,输配水管网设计中的优化等问题,对建好、管好和用好农村自来水工程具有一定的帮助作用.     

某铁路医院加速器室大体积防射线混凝土施工

结合大同铁路分局中心医院直线加速器室工程实际，介绍了大体积防射线混凝土的特点及施工中应注意的事项，并阐述了具体的施工技术。     

公司大门工程建设施工

大门小品建筑属多项目综合性工程。本文作者从管理者的角度 ,通过对公司大门及附属工程施工质量控制的总结 ,说明了质量控制应贯穿于工程施工的全过程     

一种基于bit位的运动补偿方法

本文讨论了等离子体显示屏所特有的在显示运动画面时出现的伪轮廓线现象，对产生的原因进行了分析并给出了软件模拟的结果。在此基础上，提出了一种基于bit位的运动补偿方法来改善运动图像的画面质量，同时根据人眼的视觉特征对补偿方法做了进一步的优化。最后对基于bit位的运动补偿方法进行了比较和验证，结果表明基于bit位的运动补偿方法可以基本消除运动画面的伪轮廓线现象。     

Thermal stability of reinforced Nb3Sn composite superconductor under cryocooled conditions

Several types of reinforced Nb₃Sn wires have been developed to prevent reduction of superconducting properties by applying a strong electromagnetic force. To fabricate a cryocooled magnet using those reinforced wires, we experimentally measured the minimum quench energy (MQE) under cryocooled conditions of some reinforced Nb₃Sn wires. As a result, it became clear that thermal stability expressed as MQE was controlled by the temperature margin between the temperature of the operating condition and the transition temperature from superconductivity to normal. Using the FEM analysis, it was realized that the cause of the decline in thermal stability for the reinforced wires was the low thermal conductivity of the reinforced materials.     

Fabrication of a poly-Si thin-film transistor with storage capacitor

The fabrication process of a low-temperature poly-Si thin-film transistor (TFT) with a storage capacitor was studied. The atmospheric-pressure chemical-vapour deposited SiO₂ protected the buried indium tin oxide (ITO) from reduction by a pure H₂ plasma treatment that was essential for the effective improvement of the poly-Si TFT characteristics. Thus, a storage capacitor with an ITO (picture electrode)-SiO₂-ITO (buried common electrode) structure was successfully fabricated. The poly-Si TFT with a channel width/length W/L ratio of 5 drove a 3 pF storage capacitor in 2 μs, and it showed superior driverability for LCD use. The TFT also had good hold characteristics under illumination for the realization of grey-scale representation.