新增探明储量的经济可采储量计算方法

提出了新增探明储量有无经济可采储量的判别方法。在此基础上，通过对立已开发油田技术可采储量经济转化率与油藏空气渗透率的相关关系式和图版，根据储层的空气渗透率，计算新增探明储量的经济转化率和经济可采储量。该方法参数易取，计算简便，对于快速、准确计算新增探明储量的经济可采储量具有重要意义。     

水分对高碱值硫化烷基酚钙结构和清净性的影响

采用傅立叶红外光谱仪，分析了水分对清净剂高碱值硫化烷基酚钙结构组成的影响；采用热管氧化试验法和曲轴箱模拟试验法，考察了高碱值硫化烷基酚钙在加水前后清净性能的变化；采用四球试验机和高频往复试验机，分析了水分对高碱值硫化烷基酚钙润滑性能的影响。结果表明，油中的水含量对高碱值硫化烷基酚钙的水解安定性能影响较大，并且随着水含量的增加，油品的清净性能和抗磨性能变差。     

吸入短寿命氡子体动物肺组织剂量与体重关系的探讨

本文介绍吸入短寿命氡子体的不同种动物肺组织吸收剂量与体重的关系。实验结果表明,吸收剂量随体重的增加而减小。     

大容量数据库如何避免ora-01555错误

本文分析了造成ora-01555错误的原因，并提出解决办法。ora-01555错误一直是DBA与developer争论的焦点，解决其问题应是双方协调的结果。     

单壁碳纳米管的制备及生长特性研究

采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响     

动力配煤高温复合固硫剂研究

分析了高温复合固硫剂各成分的作用，实验研究了在不同配比的燃烧试验下，各成分对燃煤着火和燃烧以及对炉渣固硫的影响，得出了该煤种高温复合固硫剂的最佳配方。     

数字多媒体广播技术现状及前景

数字多媒体广播（DMB）是从数字音频广播（DAB）基础上发展起来的一种新型广播技术。数字音频广播是在调幅AM和调频FM之后的第三代广播技术。通过对数字多媒体技术的介绍较全面地阐述了其技术系统、功能、现状及发展前景。     

一种应用于二次布局的有效划分方法

提出了一种基于二次布局的结合MFFC结群和hMETIS划分的算法.实验表明:这种方法能得到很好的布局结果,但是运行消耗的时间比较长.为了缩短划分在二次布局中运行的时间,提出了一种改进的结群算法IMFFC,用它在二次布局中做划分.与前者相比较,这种方法虽然布局质量稍差,但速度更快.     

Origin of the threshold voltage instability in SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual layer gate dielectrics

The magnitude of the V/sub T/ instability in conventional MOSFETs and MOS capacitors with SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual-layer gate dielectrics is shown to depend strongly on the details of the measurement sequence used. By applying time-resolved measurements (capacitance-time traces and charge-pumping measurements), it is demonstrated that this behavior is caused by the fast charging and discharging of preexisting defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface and in the bulk of the HfO/sub 2/ layer. Based on these results, a simple defect model is proposed that can explain the complex behavior of the V/sub T/ instability in terms of structural defects as follows. 1) A defect band in the HfO/sub 2/ layer is located in energy above the Si conduction band edge. 2) The defect band shifts rapidly in energy with respect to the Fermi level in the Si substrate as the gate bias is varied. 3) The rapid energy shifts allows for efficient charging and discharging of the defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface by tunneling.