常减压蒸馏装置阻垢剂进料管腐蚀与防护

通过对常减压蒸馏装置阻垢剂进料管的材质、性能、工作条件及腐蚀形貌、腐蚀产物的全面分析,找出了使进料管发生大面积腐蚀的腐蚀介质为环烷酸.并提出了减缓阻垢剂进料管环烷酸腐蚀的措施,主要包括选用更耐蚀的316或316 L材质以及改进三通结构等.     

EDT机床监控系统的研究开发

介绍可编程控制器FX2N－80MR在EDT机床逻辑控制系统中的应用，详细介绍了EDT机床监控系统的构成，功能及其实现方法。     

p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究

利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的，掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的，掺杂后，P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小，从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。     

Observation and Analysis of Gypsum Particleboard using SEM

The microstructures of gypsum board and gypsum particleboard were observed by SEM. The effects of retarder and waterproof agent on the shape and the average dimension of the gypsum crystal were discussed. The mechanism was investigated as well. Four typical instances, i e, the gypsum crystal shape, the gypsum combined with particles on the particles surface, the gypsum combined with particles on the wood cross section and the gypsum combined with particles inside the wood cell cavity were selected and observed. Furthermore, the agglomeration and cementation mechanism between gypsum and particle were studied.     

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.     

解析曾懿《中馈录》——兼论川菜菜系雏形的形成

川菜菜系不是短时间内突然出现的,它有一个萌芽、雏形(开始形成)、成熟和发展的过程。本文尝试通过解析川菜经典食谱之一的曾懿《中馈录》,来探讨川菜菜系雏形的形成。     

Y-Ba-Cu-O超导涂层的研制

用等离子喷涂工艺制备了 Y-Ba-Cu-O 高临界温度超导涂层,涂层的初始转变温度为101K、零电阻温度为86K。电阻率与磁化率的测量结果表明这种超导涂层具有与烧结超导块体相类似的性能,X 光衍射谱显示出涂层主要由 YBa_2Cu_3O_(?)单相化合物组成。     

Matlab在“计算机辅助电路分析”中的应用

"计算机辅助电路分析"课程,是通过计算机仿真实验来训练学生分析和解决电路问题的能力.实践证明,将Matlab软件,特别是其中的Simulink仿真模块作为电路分析工具,引入到计算机辅助电路分析课程教学中,收到了良好的教学效果.本文以二阶电路阶跃响应问题的求解为例,介绍了辅以Matlab的五种求解方法,并对这五种方法的特点进行了比较,说明了Matlab在电路分析方面的优越性.     

High-yield synthesis of single-crystalline 3C-SiC nanowires by a facile autoclave route

Single-crystalline 3C-SiC nanowires have been synthesized in large scale through a one-step autoclave route by the reaction of SiCl₄, (C₅H₅)₂Fe and metallic Na at 500 °C. Electron microscopy investigations show that the nanowires have typical diameters of 15-50 nm, lengths up to several tens of micrometers and grow along the [111] direction. The possible growth mechanism of the nanowires is discussed.     

催化裂化技术现状及发展趋势

详述了国内外最新渣油催化裂化、多产柴油催化裂化、低碳烯烃催化裂化、生产清洁燃料催化裂化及催化剂的技术进展，同时根据我国实际情况对今后催化裂化技术的发展提出了建议。