收费全文 | 76089篇 |
免费 | 756篇 |
国内免费 | 689篇 |
电工技术 | 1428篇 |
综合类 | 47篇 |
化学工业 | 11367篇 |
金属工艺 | 3448篇 |
机械仪表 | 2652篇 |
建筑科学 | 1686篇 |
矿业工程 | 503篇 |
能源动力 | 1865篇 |
轻工业 | 6534篇 |
水利工程 | 856篇 |
石油天然气 | 2309篇 |
武器工业 | 41篇 |
无线电 | 7249篇 |
一般工业技术 | 16611篇 |
冶金工业 | 12993篇 |
原子能技术 | 2628篇 |
自动化技术 | 5317篇 |
2022年 | 596篇 |
2021年 | 933篇 |
2020年 | 707篇 |
2019年 | 797篇 |
2018年 | 1573篇 |
2017年 | 1581篇 |
2016年 | 1782篇 |
2015年 | 960篇 |
2014年 | 1576篇 |
2013年 | 3624篇 |
2012年 | 2404篇 |
2011年 | 2891篇 |
2010年 | 2423篇 |
2009年 | 2683篇 |
2008年 | 2683篇 |
2007年 | 2610篇 |
2006年 | 2229篇 |
2005年 | 1953篇 |
2004年 | 1895篇 |
2003年 | 1832篇 |
2002年 | 1750篇 |
2001年 | 1706篇 |
2000年 | 1699篇 |
1999年 | 1599篇 |
1998年 | 3709篇 |
1997年 | 2631篇 |
1996年 | 1960篇 |
1995年 | 1553篇 |
1994年 | 1358篇 |
1993年 | 1371篇 |
1992年 | 1019篇 |
1991年 | 1060篇 |
1990年 | 1088篇 |
1989年 | 1070篇 |
1988年 | 957篇 |
1987年 | 896篇 |
1986年 | 896篇 |
1985年 | 947篇 |
1984年 | 795篇 |
1983年 | 780篇 |
1982年 | 687篇 |
1981年 | 700篇 |
1980年 | 669篇 |
1979年 | 661篇 |
1978年 | 628篇 |
1977年 | 780篇 |
1976年 | 931篇 |
1975年 | 583篇 |
1974年 | 554篇 |
1973年 | 543篇 |
The dependence of the efficiency of magnetic-pulse processing of materials on the pulsed magnetic-field shape has been studied. It is shown that, by using a pulse train instead of a single pulse in the fast-rising component of a magnetic field applied during the backward forming process, it is possible to increase the specific mechanical impulse transferred to a workpiece and, thus, improve the efficiency of processing. Possible applications of the proposed method to removing dents from car chassis and aircraft parts are considered
相似文献Carbon–lead solid solutions coexisting with amorphous carbon have been obtained for the first time in a film coating deposited by ion-plasma sputtering. During subsequent vacuum annealing of carbon–lead films containing more than 68.5 at % Pb, this element almost completely evaporates to leave an amorphous carbon coating on a substrate. During annealing at 1100°C, this amorphous carbon crystallizes into a new hexagonal lattice with unit cell parameters a = 0.7603 nm and c = 0.8168 nm. Characteristic X-ray diffraction data for the identification of this phase are determined.
相似文献The structure of GaP films grown by molecular-beam epitaxy on vicinal Si(1113) substrates has been studied by X-ray diffraction. It is established that the crystalline lattice of a pseudomorphic film rotates about the <110> axis toward increasing deviation from the singular orientation, while the subsequent relaxation leads to rotation in the opposite direction. This is valid for the films of both (001) and (001̄) polarities. Differences between the surface morphologies of relaxed and pseudomorphic GaP films are revealed.
相似文献