首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   21580篇
  免费   1667篇
  国内免费   899篇
电工技术   1125篇
综合类   1451篇
化学工业   3794篇
金属工艺   1440篇
机械仪表   1180篇
建筑科学   1618篇
矿业工程   781篇
能源动力   494篇
轻工业   1359篇
水利工程   371篇
石油天然气   1634篇
武器工业   200篇
无线电   2211篇
一般工业技术   2816篇
冶金工业   1172篇
原子能技术   201篇
自动化技术   2299篇
  2024年   109篇
  2023年   364篇
  2022年   669篇
  2021年   924篇
  2020年   722篇
  2019年   597篇
  2018年   618篇
  2017年   730篇
  2016年   611篇
  2015年   888篇
  2014年   1107篇
  2013年   1217篇
  2012年   1317篇
  2011年   1506篇
  2010年   1267篇
  2009年   1229篇
  2008年   1117篇
  2007年   1214篇
  2006年   1177篇
  2005年   1012篇
  2004年   638篇
  2003年   568篇
  2002年   575篇
  2001年   486篇
  2000年   499篇
  1999年   578篇
  1998年   428篇
  1997年   381篇
  1996年   335篇
  1995年   303篇
  1994年   258篇
  1993年   184篇
  1992年   138篇
  1991年   90篇
  1990年   68篇
  1989年   50篇
  1988年   56篇
  1987年   34篇
  1986年   25篇
  1985年   11篇
  1984年   13篇
  1983年   14篇
  1982年   11篇
  1981年   5篇
  1980年   1篇
  1959年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 13 毫秒
31.
侵犯知识产权是互联网上一股来势凶猛的暗流!使传统的刑事法律受到挑战,迫切需要相关各界作出及时回应,从意识、法律和技术上加以遏制,以保护知识产权人的权利,进而维护全社会的科学技术和文学艺术的进步.  相似文献   
32.
网页上经常会显示一些动画,如重要信息或广告等。本文用JavaScript实现了使动画固定在网页画面的相对位置上,不会被移出画面。  相似文献   
33.
Metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) were fabricated on H-terminated polycrystalline diamond.The DC characteristics of the p-channel MESFET showed a maximum drain current density of 204 mA/mm at a gate-source voltage of 6 V,and a maximum transconductance of 20 mS/mm at a gate-source voltage of 1.5 V.The small signal S-parameters of MESFET with 2 100 m gate width and 2 m gate length were measured.An extrinsic cut-off frequency (fT) of 1.7 GHz and the maximum oscillation frequency (fmax) of 2.5 GHz were obtained,which was the first report on diamond MESFETs with RF characteristics in China.  相似文献   
34.
水资源供需矛盾突出,产生了农业用水的非农转移。从农业用水转移的理论内涵,阐述了深化水价改革的具体方向和政策措施,指出我国水价管理必须坚持财政、制度、市场三位一体的改革导向。  相似文献   
35.
The oxidation state of sulfur is detected in Na2O-CaO-SiO2 float glass by synchrotron radiation X-ray absorption near edge structure (XANES) spectra at the sulfur K edge. The measured spectra show the only presence of S6+ in the Na2O-CaO-SiO2 float glass and the oxidation state of sulfur do not change with the increase of glass depth. It is also found that, after the melt has gone through the molten tin bath, the S6+ is the dominant species, but S2- is also present on both surfaces. It is not certain whether cation bonds to S2- or not, because there are many cations dissolved in the melted tin which makes the spectrum complicated.  相似文献   
36.
设A为C*-代数,a,-a=a δa∈A并且a 存在,‖a ‖‖δa‖<1。定义-a是a的稳定扰动,当且仅当-aA∩(1-aa )A={0}。此时-a 存在,并且‖-a ‖的上界被给出。对于B-D广义逆a p,在给出一般表达式的前提下,对于一类具有“p-零”性质的B-D广义逆,得到了‖-a p‖的一个上界。  相似文献   
37.
崔安熙 《辐射防护》2006,26(2):99-106
不定形二氧化硅[Amorphous Silica,简称SiO2(am)]是高放废物玻璃固化体在处置后,发生降解的主要产物。对SiO2(am)在FbCa粘土和MX-80粘土柱中的扩散迁移进行了实验研究,结果显示:在粘土柱中有大量的SiO2(am)沉淀产生;土柱中总Si增加量与时间的关系基本为线性正相关关系。采用CRUNCH程序对上述扩散迁移实验进行了模拟,模拟内容包括:溶液和岩相中Si浓度变化、总的筋增加量与时间的关系以及实验期间孔隙率的变化;同时分析了有效扩散系数对结果的影响。结果说明,使用CRUNCH程序进行反应迁移模拟是可行的;但是实验中pH值测量时机不适当;另外由于土样本身Si含量较高,易对土柱总Si的分析结果产生影响,这些因素需进一步实验时改进。  相似文献   
38.
介绍了天津钢铁有限公司带钢厂开发带钢新品种,用65Mn弹簧钢试轧优质碳素结构钢钢带的工艺情况。总结了试轧过程存在的问题,提出了改进措施。  相似文献   
39.
We describe the preparation of CoNiMnP-based permanent-magnet material using several sulfate and chloride solutions. We studied eight samples, and all the samples show vertical magnetic anisotropy. Sample8, which was electroplated from a low-concentration chloride solution and under external magnetic field, demonstrates the best magnetic properties with coercivity 2632 Oe, remanence 0.20 T, and maximum magnetic energy 10.185 kJ/m/sup 3/. An array structure can avoid the stress between the electroplated layer and the seed layer. The electroplated Co/sub 0.8/Ni/sub 0.1174/Mn/sub 0.0062/P/sub 0.0762/ permanent magnet has potential for bidirectional actuators in micro-electromechanical systems.  相似文献   
40.
探讨了会计电算化条件下和传统手工会计条件下几种有重大差异的会计分录编制问题,指出实现会计电算化后,会计人员在编制会计分录时,既要遵循会计理论本身要求,又要考虑会计电算化软件的要求。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号