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71.
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer. Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system.  相似文献   
72.
油气圈闭地质评价方法及应用   总被引:18,自引:3,他引:15  
本从含油气系统理论出发,对圈闭成藏的油源,储层,圈闭,保存,配套史制定分级评价标准,并赋予相应的评价系数,在此基础上应用地质风险概率理论与模糊数学的方法,在微机上定量评价圈闭含油气性。  相似文献   
73.
本文介绍用真空铸造法制造抗拉强度超过1000MPa的高强度C/Mg复合材料。将T300纤维经C-Si-O梯度涂层处理后单向排布于型腔内,在真空下注入ZM-5合金液,凝固后即得C/Mg复合材料零件或试样。试样的抗拉强度在纤维体积分数为0.35时达1050MPa。本文讨论C-Si-O梯度涂层对获得高强度复合材料的作用。  相似文献   
74.
Cd-ZSM-5沸石催化剂的制备、表征和芳构化催化性能   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用离子交换、浸渍和混合三种方法制备镉改性ZSM-5沸石催化剂,考察了改性方法和镉含量对催化剂的表面酸性和Cd状态以及芳构化性能的影响。结果表明,加入镉降低了B酸性,Cd~(2+)与沸石结合形成了L_(1612)酸中心,其生成量取决于改性方法和Cd含量,并与芳构化活性提高有直接关系。  相似文献   
75.
面对日益突出的城市静态交通问题,针对普陀区所处的地理位置和发展形势,提出了在普陀区实施静态交通规划(包括技术路线、政策研究及相关的经济分析方法)的初步构想。  相似文献   
76.
77.
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.  相似文献   
78.
The purpose of this paper is to evaluate two methods of assessing the productivity and quality impact of Computer Aided Software Engineering (CASE) and Fourth Generation Language (4GL) technologies: (1) by the retrospective method; and (2) the cross-sectional method. Both methods involve the use of questionnaire surveys. Developers' perceptions depend on the context in which they are expressed and this includes expectations about the effectiveness of a given software product. Consequently, it is generally not reliable to base inferences about the relative merits of CASE and 4GLs on a cross-sectional comparison of two separate samples of users. The retrospective method that requires each respondent to directly compare different products is shown to be more reliable. However, there may be scope to employ cross-sectional comparisons of the findings from different samples where both sets of respondents use the same reference point for their judgements, and where numerical rather than verbal rating scales are used to measure perceptions.  相似文献   
79.
对油管漏失进行定量测试的方法确定具体漏失位置。方法运用双频道回声探仪探测动液面的原理和工作方法,根据油管漏失形成的死油坏在测试曲线上出现特殊波位置判断油管漏失位置。结果:经过70多井次的现场试验,该方法具有较高的准确性和可靠性。结论:利用特殊波可以有效监测油管漏失,并具有推广使用价值。  相似文献   
80.
本文提出一个同温冶炼过程中预测非金属夹杂物沉淀的计算机程序。本研究中,多元硅酸盐溶体的Gibbs自由能由基于统计热力学的晶胞模型来计算,该晶胞模型按照氧与周围的阳离子构成的对称和非对称晶胞来描述硅酸盐熔体结构,假定高温冶炼时认与非金属夹杂物平衡,钢液中氧化物元素的活度由Wagner交互作用系数来计算,利用本程序可以估计炼钢时沉淀的非金属氧化物的成分,为调整冶炼工艺和提高产品质量提供指导,进一步可计  相似文献   
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