微桥法镍膜的弹性模量和残余应力测量

利用MEMS技术制作了不同尺寸的镍(Ni)膜微桥结构样品。采用纳米压痕仪XP系统测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量和残余应力。结果表明,两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量结果一致,为190 GPa左右,但是残余应力变化较大。与采用纳米压痕仪直接测得的带有硅(Si)基底的Ni膜弹性模量186.8 7.5 GPa相比较,两者符合较好。     

通信网中节点重要性的评价方法

提出了一种对通信网中节点重要性进行评价的方法,并给出了简洁的归一化解析表达式。通过比较生成树的数目,可以判断图中任意数目的两组节点的相对重要性。从图中去掉节点以及相关联的链路后,所得到的图对应的生成树数目越少,则表明该组节点越重要。实验结果表明,该方法计算简单,更为精确地反映基于网络拓扑的节点重要性。     

一种新型的高精度神经元MOS源极跟随单元电路

提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更高的精度     

基于改进型D-S证据理论的决策层融合滤波算法

本文针对线性和非线性混合滤波技术的不足,提出了一种基于改进型D-S证据理论的融合滤波算法.本算法首先分析了基本D-S证据理论组合准则缺陷的产生原因,从而采取消去证据间相关性、自适应地分配矛盾信息给与冲突有关的焦元等措施,改进了基本D-S证据理论的组合准则,提高了其融合性能.在此基础上,本算法又根据混合滤波器单源判别边界点误报风险大、可靠性和容错性差的弊端,增加了多子源判决准则,利用改进了的D-S证据理论的组合准则,实施融合判决.后续实验证明了本算法的有效性,为图像滤波的技术发展提供了一个新的探索途径.     

基于模拟电路仿真的双闭环直流调速系统课程设计

介绍了一种基于模拟电路仿真实验平台实现双闭环直流调速系统课程设计的方法,该方法利用计算机完成实验数据的采集、存储和计算处理,根据实验结果可以准确直观地分析转速一电流双闭环调速系统的起动过程及动态抗扰性能,可方便地设计各种不同的调节器参数及控制策略并分析其对系统性能的影响,取得了很好的教学效果。该方法亦可用于对其他类型自控系统的分析设计。     

含柔性滑移伸展单元飞行器动力学建模及仿真研究

分析了伸展单元的几何结构及动力学特点,引入与伸展运动有关的广义伸展坐标,提出滑移伸展单元的运动学描述方法,基于Ｌａｇｒａｎｇｅ原理,建立了这类飞行器的动力学模型,最后仿真研究了这类系统独特的动力学行为。     

火炮装药设计专家系统的设计与实现

本文介绍了火炮装药设计专家系统 ( ESGCD)的实现方法 ,讨论了系统的总体结构与功能特点 ,研究了系统知识库、推理机及智能化装药弹道设计技术     

电镀软金用硫基无氰金配合物电解质研究进展

电镀金工艺中金氰化物([Au(CN)2]-)溶液在过程中会释放出剧毒的游离氰化物离子,严重危害到生产人员和自然环境的健康;此外,它们还会对光刻胶造成一定的破坏.近年来无氰电解质得到了发展.基于对50余篇文献的分析,本文比较了亚硫酸金([Au(SO3)2]3-)、硫代硫酸金([Au(S2O3)2]3-)和二者混合电解液,...     

Performance of GaAs-AlGaAs V-grooved inner stripe quantum-well wirelasers with different current blocking configurations

GaAs-AlGaAs V-grooved inner stripe (VIS) quantum-well wire (QWW) lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition with different current blocking configurations, n-blocking on p-substrate (VIPS), p-n-p-n blocking on n-substrate (VI(PN)_nS) and p-blocking on n-substrate (VINS) have been fabricated and characterized. The VIPS QWW lasers show the most stable characteristics with effective current confinement: one of the lasers shows fundamental transverse mode, lasing up to 5 mW/facet, typical threshold current of 39.9 mA at 818.5 mm, an external differential quantum efficiency of 24%/facet, and characteristic temperature of 92 K. The current tuning rate was almost linear at 0.031 mm/mA, and the temperature tuning rate was measured to be 0.14 nm/°C. Comparison of the light output versus current characteristics of the lasers with different current blocking configurations is presented here