双波长粉末倍频检测系统研究

为了测定粉末材料的倍频特性,根据Kurtz-Perry粉末倍频效应理论,采用光参量振荡技术,获取了130mJ@1064nm和20mJ@1570nm的双波长调Q激光输出,并进行了理论分析和实验验证。实现了粉末样品的1064nm和1570nm双波长倍频测试,解决了单一波长测试时晶体粉末材料对倍频信号波长的吸收而导致难以测得倍频信号的问题,有效非线性系数测试灵敏度达到0.46pm/V。结果表明,KTP粉末样品倍频信号变化趋势与理论相吻合,该系统对晶体的非线性检测运行稳定可靠,测试简单方便快捷。     

亚半微米投影光刻物镜的研究设计

介绍了分步重复投影光刻业半微米光刻物镜光学和机械结构研究设计、设计结果,以及公差控制。指出技术指标已达到：数值孔径ＮＡ＝０．６３、工作波长λ＝３６５ｎｍ、倍率５ｘ、工作分辨力Ｒ≤０．３５μｍ,设计和镜所用透镜片数最少,无胶合件,并具有暗场同轴对准和温度气压控制补偿功能。     

一种新型水轮发电机组机械过速保护装置的研制与应用

介绍了水轮发电机组机械过速保护装置的工作原理和结构形式、工作特点,对水轮发电机组机械过速保护装置的应用进行了论述.     

改变VO_2薄膜光学性能的低注量电子辐照方法

利用能量为 0 8MeV ,注量为 10 12 /cm2 的低注量电子束辐照VO2 薄膜 ,发现低注量电子辐照显著提高VO2 光学性能的温度响应速度 ,并引起薄膜相变过程中的热滞回线宽度变窄 ,但没有对相变温度点造成明显影响 ;通过对比辐照前后样品 370～ 90 0nm的吸收和透射性能 ,表明辐照后吸光度下降、透射率增加 ,在相变过程中四方相附近出现透射、吸收特性的非稳变化现象 ;利用X射线衍射 (XRD)及拉曼光谱对辐照前后样品进行分析 ,显示低注量电子辐照引起薄膜结构的变化 ,并且引起拉曼振动峰位的改变     

抓住技术进步的龙头

概述了技术在企业发展中的重要性。只有重视技术、发展技术,企业才能进步和生存。     

基于TMP04的PIC单片机测温实现

数字化温度传感器可以直接将温度量以数字脉冲信号形式输出,具有测量精度高、抗干扰能力强、传输距离远、外围接口电路简单等诸多优点.同时数字温度传感器还可直接与微处理器进行接口,大大方便了传感器输出信号的处理.本文以PWM模式输出的TMP04型数字式温度传感器为例,介绍由PIC单片机实现的几种测温方案,并给出软件设计流程.     

基于液晶聚合物的双陷波可穿戴天线的设计

基于超薄液晶聚合物柔性材料,设计了一种满足无线体域网(WBAN)需求的双陷波UWB可穿戴天线。该天线由椭圆形贴片、锥形三叉戟共面馈线和梯形地板组成。通过分别在辐射贴片上蚀刻椭圆开口谐振环和在共面馈线上蚀刻n形槽以实现双陷波特性。该天线采用共面波导的馈电方式,具有良好的共面性,易于与载体共形。经网络矢量分析仪测试结果表明,该天线在3. 1~10. 6 GHz的超宽带频段内回波损耗小于-10 d B的同时,在4. 88~6. 15 GHz和7. 55~8. 51 GHz内拥有双陷波特性,可抑制WiMAX和ITU 8 GHz频段对系统产生的干扰。与以往的可穿戴天线相比,该天线厚度仅为0. 1 mm,且柔性可弯曲。此外,对天线在弯曲情况下进行测试,天线特性基本保持不变。     

笔段式LCD驱动设计

介绍笔段式液晶的显示原理和控制方法,具体实现了数字仪表中的设计。该驱动方法采用了德州仪器公司的超低功耗单片机CC430F6137,使用其自带的LCD控制器,并以驱动GD46532液晶显示器为例,给出了温度采集系统的数值显示驱动方法和程序设计,并对该控制器独有的闪烁功能给出了说明。经实际程序测试,采用自带LCD控制器的数显仪表可最大程度上降低系统的尺寸,且可靠性高,程序可移植性好。     

一种快速全差分CMOS运算放大器

文章在CSMC0．5μm／5V硅CMOS工艺模型下,设计了一种用于电表计量芯片的全差分运算放大器。该运放采用两级结构,其中第一级为折叠式共源共栅结构,第二级为PMOS输出缓冲结构。文章采用开关电容技术实现共模反馈以稳定输出共模电压,跟传统方法相比,这将能降低芯片面积及降低功耗。采用HSPICE软件对该电路进行仿真,仿真结果表明在负载电容为2pF情况下,该运算放大器具有开环增益为84．7dB、单位增益带宽达44．8MHz、相位裕度为67°、闭环小信号建立时间为39ns。     

基板支撑梢对TFT栅界面SiN_x和a-Si成膜特性的影响

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢;对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢。并对成膜影响的机理进行了分析讨论。