Monte Carlo simulation of gas phase polymerization of 1,3‐butadiene. Part II: Kinetics optimization and confirmation

Studies on the deactivations and initiations of gas phase polymerizations of 1,3‐butadiene have been achieved by Monte Carlo simulation. Initiation and deactivation control the reaction before and after the peak of the polymerization rate, respectively. The influence of polymerization temperature has been studied. Monte Carlo modeling of polymerization kinetics and mechanism was confirmed by the agreement of experimental data and simulation results of polymerizations run with a temporary evacuation of monomer. The balance of catalysts and active chains is established by both initiation and chain transfer reactions with cocatalyst, which causes a ‘pseudo‐stability’ stage. © 2003 Society of Chemical Industry     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

实时Motion JPEG2000视频编码系统设计

介绍了基于ADV202 JPEG2000编码芯片的Motion JPEG2000视频编码系统,该系统可实现SMPTE274M的实时编码,支持失真/无失真编码,与标准完全兼容.给出了系统硬件结构和软件流程设计,提出了一种利用帧间相关性减少编码计算量的码率控制方法.     

基于FPGA的ASI信号接收与发送的实现

提出了一种用FPGA芯片代替Cypress公司的CY78933和CY78923芯片来实现ASI信号接收与发送的方案，详细阐述了DVB—ASI接口的硬件组成与FPGA实现，该接口符合DVB—ASI的接口规范，可实现270Mbps的信号传输，已经得到实际运用。     

一种二元域上的快速计算哈希函数

论文从映射的角度,将哈希函数分为三类:严格哈希函数、计算哈希函数和实用哈希函数。在此基础上,根据二元域上二次方程x2 x c=0的部分不可解的性质,构造了一种计算哈希函数,它满足单向性和一一对应性,同时具有运算速度快的优点。     

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能，以Pb(Ti，Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考，分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外，还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。     

机械力化学作用对低介硅灰石瓷料的相变和相组成的影响

采用X射线衍射仪(XRD)、差热分析(DTA)手段详细研究了由氧化物粉末制备硅灰石陶瓷时,机械力化学作用及后续热处理对硅灰石陶瓷相组成和相变过程的影响,分析了机械力化学在球磨过程中的作用机理主要是细化晶粒、使晶格畸变、晶格缺陷增多、非晶化和诱导低温化学反应。结果表明:高能球磨中的机械力化学作用能够有效地降低硅灰石陶瓷的烧成温度(11160~11220℃)。探明了经高能球磨的样品在烧成过程中的晶相转变规律。瓷料最终的晶相为单一的-硅灰石(高温变体)。     

遗传算法在GSM移动通信网络频率规划中的应用

应用遗传算法设计和开发了针对爱立信GSM900系统的频率规划软件。在设计中，采用了交叉点存储、变异回退以及分割分步降维的方法，从而提高遗传算法的执行速度。     

5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器

采用TSMC 0.25μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采用3.3V单电源供电,电路增益可达50dB,输入动态范围小于5mVpp,最高工作速率可达7Gb/s,均方根抖动小于0.03UI.此外核心电路功耗小于40mW,芯片面积仅为0.70mm×0.70mm.可满足2.5,3.125和5Gb/s三个速率级的光纤通信系统的要求.