带通采样在数据采集中的应用研究

在数据采集中采用带通采样，可大大降低采样率，但系统中的抗混叠滤波器会造成相位的非线性。采用对滤波后的信号进行带通采样，然后再用FRR滤波器校正相位的非线性，从而不失真地还原原信号，最后在Matlab中进行仿真，验证了该方法的有效性。     

基于发布/订阅中间件的移动计算

发布订阅(Pub/Sub)中间件以发布/订阅的通信模式实现分布式系统中的各参与者之间的交互,它的松耦合、异步、组播等特点,使它能够很好地适应移动计算动态变化的网络环境.分析Pub/Sub中间件系统的框架模型和集中式、分布式两种结构,并将其扩展到移动计算环境.     

激光扫描加工图形控制模型的研究

针对激光扫描加工中存在固有图形畸变的情况,提出了DEA(dual-ends approch)控制模型。由于该模型不仅考虑了透镜焦距f、激光入射角θ、振镜偏转角和光学镜组之间的距离,而且还考虑了透镜中心厚度、透镜曲面曲率半径以及透镜介质折射率,因此提高了激光扫描加工系统的加工精度,减小了加工误差。同时利用VC++6.0编制了一个对话框程序,对传统fθ控制模型和DEA控制模型进行了分析比较,结果显示,DEA控制模型能正确表达所设计的加工图形,其精度高于fθ图形控制模型。     

目标RCS动态数据的分布特征研究

复杂目标在不同视向的RCS分布特征是不同的，传统模型对此都没有给出详细的结果。文中以某歼击机和直升机为对象，应用X^2。分布、对数正态分布和瑞利分布模型，以及Kolmogomv拟合优度检验方法，研究其RCS动态测量数据的统计分布特征，得到了在一定显著性水平下，两种目标在不同视向角下对三种模型的拟合效果，同时得到应用X^2。分布拟合时模型半自由度随视向角的分布情况。在显著性水平为0．05时，对于在较短时间内录得的复杂目标动态RCS数据，应用X^2分布可以取得较好的拟合效果。文中结果精确地描述了目标RCS的起伏特征，能够为目标回波的精确模拟与检测提供可靠的依据。     

一种零电压转换有源功率因数校正电路的研究

提出了一种基于UC3854的零电压转换有源功率因数校正(ZVT-APFC)的控制电路实现方案,介绍了ZVT电路工作原理,着重分析了由分立元件构成的辅助开关管的驱动电路,通过实验证实了驱动电路的稳定性和可靠性,并通过效率比较验证了ZVT-APFC电路的优良性能。与采用UC3855的电路相比,该电路方案具有简单、可靠、成本低等优点。     

MCM-41掺杂Cr对正己醇催化活性的影响

合成了掺杂不同Cr含量的Cr-MCM-41分子筛,采用XRD、FT-IR等手段对催化剂进行了表征,并考察了它们对正己醇催化氧化性能的影响.结果表明,掺杂适量的Cr,可使正己醇的转化率达到48%,正己酸的选择性达到83%.Cr的掺杂量、反应温度、催化剂用量等条件对该催化反应均有一定影响.适量杂原子的掺杂不会破坏MCM-41分子筛的结构.     

声光效应拉曼-内斯方程矩阵级数解法及声光调制器优化设计

提出一种求解正常声光相互作用拉曼 内斯 (Raman Nath)方程的矩阵级数解法 ,该解法直观方便且具有普遍性。计算结果表明 ,对Q =4 1π ,Bragg衍射的效率只有 97 5 % ;对非对称入射 ,以往的Raman Nath近似解误差较大 ;指出提高Bragg衍射效率的有效途径在于提高声光频率比并给出计算声光器件最优长度的计算公式。     

GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.     

三峡水库减淤增容调度方式研究——多汛限水位调度方案

本文建议在汛期中小流量时（Q<35000m3/s），将坝前水位维持在148～151m；出现汛情且流量更较大后，将坝前水位降低到143m；入库流量大于35000m3/s且短期预报将出现大于十年一遇洪水时，预泄洪水到135m.按这一调度，汛期约80％时间可以维持在较高水位，一般洪水期。汛限水位143m不影响坝区通航，135m水位迎洪可大量增加防洪库客。到100年后可减淤30亿m3，增加防洪库容约40亿m3.变动回水区减淤40%，优化了坝区水沙搭配，可改善通航条件。降低库区洪水位，缓解防洪与移民的矛盾。可对发电带来较大好处：提高发电效益，减少粗沙过机。初期水库排沙比大于原方案，可减轻下游冲刷。同时，可减小三峡汛初泄水与鄱阳湖防洪的矛盾。     

a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的空间电荷效应和稳定性分析

基于pin结构的a-Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应,讨论了a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的稳定性.结果表明,在光照射下,光生空穴俘获造成了a-Si∶H中正空间电荷密度的增加,从而改变了电池内部的电场分布,提高了a-Si∶H薄膜中的电场强度.空间电荷效应不会给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si∶H薄膜带来准中性区(低场"死层"),也没有发生a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退,因而a-Si/poly-Si叠层结构太阳能电池具有较高的稳定性.