基于矢量观测确定卫星轨道姿态:欧拉角估计器

针对“矢量观测+陀螺”这种典型的三轴稳定卫星姿态确定系统配置模式,采用欧拉角作为姿态参数,应用扩展卡尔曼滤波技术综合处理姿态测量信息,给出了具有良好滤波性能的轨道姿态估计算法.在算法的设计过程中,针对单矢量观测情况,通过改进协方差修正算法加快了状态估值的收敛速度;针对多矢量观测情况,把 QUEST 法作为矢量观测数据压缩技术有效地结合进姿态估计器中,使得在多矢量观测情况下的滤波修正算法得到了简化.     

含化学反应体系多相平衡计算方法的研究进展

首先给出了含化学反应体系多相平衡计算问题的数学方程，然后对国内外含化学反应体系多相平衡计算方法的现状和进展做了综述，包括经典的非化学计量系数法和化学计量系数法以及最近提出的稳定性分析法、全局最优法和遗传算法等，并具体介绍了化学计量系数法中两种常用算法-S-C算法和KZ算法以及遗传算法的算法原理和计算步骤。     

一种面积守恒的曲线平滑

传统意义上的曲线平滑是光滑曲线使之成为一段连续光滑的孤，但这是有收缩的。本文提出一种新的曲线平滑方法，这种方法不但具有传统平滑的效果，而且能使封闭曲线的面积在平滑后保持不变，因此这是无收缩的，从而更加合理。     

非线性系统的神经网络自适应滤波器

针对一类具有未知非线性函数和未知虚拟系数的二阶非线性系统，提出了一种神经网络自适应滤波跟踪方法，用RBF神经网络估计出系统中不确定项，将神经网络与滑模控制方法相结合，用李雅普诺夫稳定性分析方法证明了滤波器内的所有信号均有界，选择的神经网络权值调整规律可以消除颤振，抑制外部随机干扰。     

数字地图局部自动生成与半自动编辑

数字地图的局部自动生成与半自动编辑系统由道路编辑模块和房屋编辑模块构成。文章详细描述了各模块中的半自动提取功能的算法，其中道路提取采用了滚球法，房屋提取采用的是基于几何关系的算法。所有半自动提取算法都在图形的基础上操作的，能保证有较好的通用性，不仅可用于纸面地图生成数字地图的开发过程，而且适用于从航空图像开发数字地图等用途。数字地图半自动编辑器已可作为一个独立的系统，在人机交互状态下自动／半自动生成数字道路地图和数字房屋地图。     

一种改进的建立XML数据的路径索引的方法

随着XML日益普遍的应用,如何快速准确地访问XML文档中的数据已成为亟待解决的关键问题,建立路径索引是提高查询效率的一种重要手段.本文分析了可能导致路径索引复杂度过大的原因,提出一种分步建立和更新路径索引的方法,对于具有复杂引用关系的源数据,根据查询的需要只对数据中部分路径建立索引,并通过阈值控制索引的规模.实验结果表明,本文提出的方法可以有效地降低建立和维护XML数据的路径索引的代价.     

国内正电子发射断层(PET)现状和展望

介绍了国内外正电子发射断层(PET)发展概况。截止2003年3月，国内有22个PET中心(包括已建、在建和计划中)、4台PET单机。正电子药物(^18F—FDG)方面：除由IBA公司2台30MeV回旋加速器生产的^18F—FDG已进入临床研究外，PET中心的17台小型回旋加速器生产的FDG按医院制剂使用。2001年FDGPET检查约6700人次。本文讨论了我国PET发展中应注意的几个问题：如PET目前未进入医疗保险；PET中心数目的发展，宜在国家主管部门统一规划下并根据社会经济发展水平、医院功能定位及社会和公众的承受能力，合理布局、有限量地增加；加强基础科学与临床医学协作；重视人才培养及培训；建议核学会或核医学会下属设立PET学组或专门委员会，以作为各PET中心和主管部门联系的纽带与桥梁。     

Electron gun for SSRF

A 100 kV triode-electron-gun has been designed and manufactured for the Linac of Shanghai Synchrotron Radiation Facility (SSRF). In this paper the performance of the gun and some key components are described.     

Fabrication of thick BOX SOI by Smart-cut technology

A SOI material with thick BOX (2.2 μm) was successfully fabricated using the Smart-cut technology. The thick BOX SOI microstructures were investigated by high resolution cross-sectional transmission electron mi-croscopy (XTEM), while the electrical properties were studied by the spreading resistance profile (SRP). Experimen-tal results demonstrate that both structural and electrical properties of the SOI structure are very good.     

Reduction of self-heating effect in SOI MOSFET by forming a new buried layer structure

An inherent self-heating effect of the silicon-on-insulator (SOI) devices limits their application at high current Ievels. In this paper a novel solution to reduce the self-heating effect is proposed, based on N+ and O+ co-implantation into silicon wafer to form a new buried layer structure. This new structure was simulated using Medici program, and the temperature distnbution and output characteristics were compared with those of the conven-tional SOI counterparts. As expected, a reduction of self-heating effect in the novel SOI device was observed.