首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   205587篇
  免费   15625篇
  国内免费   7817篇
电工技术   11243篇
技术理论   14篇
综合类   11219篇
化学工业   35717篇
金属工艺   10547篇
机械仪表   12011篇
建筑科学   16410篇
矿业工程   4946篇
能源动力   5849篇
轻工业   12706篇
水利工程   3212篇
石油天然气   11074篇
武器工业   1346篇
无线电   25489篇
一般工业技术   26718篇
冶金工业   10936篇
原子能技术   2115篇
自动化技术   27477篇
  2024年   882篇
  2023年   3265篇
  2022年   5833篇
  2021年   7910篇
  2020年   5802篇
  2019年   5016篇
  2018年   5419篇
  2017年   6200篇
  2016年   5701篇
  2015年   7297篇
  2014年   9527篇
  2013年   12284篇
  2012年   12231篇
  2011年   13884篇
  2010年   11619篇
  2009年   11462篇
  2008年   10877篇
  2007年   10475篇
  2006年   10862篇
  2005年   9635篇
  2004年   6566篇
  2003年   5778篇
  2002年   5256篇
  2001年   4725篇
  2000年   4871篇
  1999年   5638篇
  1998年   5284篇
  1997年   4351篇
  1996年   3956篇
  1995年   3310篇
  1994年   2768篇
  1993年   2187篇
  1992年   1700篇
  1991年   1277篇
  1990年   1019篇
  1989年   877篇
  1988年   681篇
  1987年   496篇
  1986年   394篇
  1985年   335篇
  1984年   212篇
  1983年   198篇
  1982年   163篇
  1981年   145篇
  1980年   131篇
  1979年   97篇
  1978年   63篇
  1977年   63篇
  1976年   77篇
  1975年   38篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
941.
942.
InGaAs(P)分别限制应变单量子阱激光器的优化设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对较常用的InGaAs(P)分别限制应变单量子阱激光器,给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为1.55μm的无应变激光器,最佳的光限制层波长为1.24μm,厚度为100nm。当阱材料引入压缩应变后.由于价带的有效状态密度减小,量子阱激光器的微分增益变大,阱深的增大对增大线性增益的效果更加明显.所以最佳光限制层的波长将变短,为1.20μm  相似文献   
943.
异型材挤出口模内的流动模拟   总被引:10,自引:1,他引:9  
本文根据挤出机理,对口模内的流动行为进行适当的简化和假定,建立了挤出口模内流动分析的数学模型,并采用横截面/假想区域法实现了复杂异型材挤出口模内的数值模拟,数值分析结果与三维有限元解和解析解的对比,取得了满意的效果。  相似文献   
944.
陈联红  朱元保 《化学试剂》1996,18(4):193-196
用FOSECS研究了中性红的光谱电化学特性,测定了它的热力学函数、条件平衡常数和参加电极反应的H^+数,其结果与文献值一致。  相似文献   
945.
946.
Surface area and porosity of pellets containing alumina/carbon powder mixtures during reduction and nitridation were determined. The experimental results indicated that surface area and porosity of solid samples were decreased by increasing the reaction temperature, grain size, forming pressure and the amount of catalyst. Increasing the molar ratio of C/Al2O3 and gas flow rate could decrease the surface area and increase the porosity of the solid sample.  相似文献   
947.
We conducted a retrospective study of 516 cardiac recipients who underwent transplantation between April 1983 and April 1992, 19 of whom had development of post-transplantation lymphoproliferative disorders (PTLDs). These 19 patients presented with involvement of lung (5), gastrointestinal tract (5), disseminated disease (6), and adenoids and lymph nodes (3). B-cell proliferations ranging from an atypical hyperplasia to malignant lymphoma developed in 18 patients, and mixed cellularity Hodgkin's disease developed in 1 patient. The 19 patients with PTLD displayed a predominance of both women and cardiomyopathy as the indication for transplantation when compared with two separate control populations. No correlation was found between demographic criteria analyzed and (1) early versus late diagnosis of PTLD after transplantation, (2) the site of PTLD involvement, or (3) the histopathologic category of the PTLD lesion. Patients with gastrointestinal tract and lung PTLD involvement enjoyed an improved survival after both transplantation and PTLD diagnosis when compared with patients with PTLD involvement of all other extranodal sites. We report a high incidence of PTLD involving the lung and gastrointestinal tract in our cohort study. These sites of involvement responded better to a reduction in immunosuppression than did the other extranodal sites of involvement.  相似文献   
948.
从鸡脑及骨骼肌中分离提取烟碱样胆碱能受体,用[~(125)I]-α一银环蛇毒素进行受体-配体结合动力学研究。结果表明,这种结合呈二级动力学反应性质。脑视叶中提纯的受体和骨骼肌中分离的受体,K_D值分别为129pM及4pM(25℃)。烟碱、箭毒碱等可抑制受体-配体的结合反应并测得各自的抑制常数及Hill系数。  相似文献   
949.
950.
Buried p-buffer double heterostructure modulation-doped field-effect transistors (BP DH-MODFETs) with an InGaAs quantum-well channel were fabricated with high transconductance and good breakdown voltage, by placing the metal gate directly on Fe-doped InP insulating layer. Excellent extrinsic DC transconductance of 560 mS/mm and a high gate-to-drain diode breakdown voltage (greater than 20 V) were achieved at room temperature with FETs of 1.2-μm gate length. Unity currently gain cutoff frequency fT of 24 GHz and maximum oscillation frequency fmax of 60 GHz were demonstrated for a drain to source voltage VDS=4 V, which corresponds to an average electron velocity of 2.2×107 cm/s in the quantum well  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号