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本文介绍了无横梁高刚性轧机的新颖结构,分析了该轧机高刚性及轴承长寿的原理。该轧机在现场使用中,取得了良好的效果。 相似文献
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A full wave moment method is applied to the analysis of aperture coupled microstrip antennas, in which all components of the electric and equivalent magnetic surface currents are considered. The electric current distributions on the rectangular patch for different coupling aperture positions are presented with their radiation patterns. The effects of the coupling aperture shape and size on the input impedance and radiation performance are also discussed. As an example of new radiators, slotted patches are studied, and it is shown that they can be used to achieve dual-frequency operation 相似文献
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本文应用矩量法和几何绕射理论的混合技术及矩量法的稀疏技术详细分析和计算了多导体同时存在的复杂电磁环境中线天线的近场。理论值与实验数据进行比较,两者基本吻合。 相似文献
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Tan Fu Lei Tang Po Chen Horng-Chih Lin Chun-Yen Chang 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1995,42(12):2104-2110
A new material, Si-B, is proposed as a solid diffusion source for fabrication of poly-Si contacted p+-n shallow junctions. The junction depth of the Si-B source diode has been measured and compared with that of a BF2+-implanted poly-Si source diode. It was found that the Si-B source diode had a much shallower junction and was less sensitive to thermal budget than the BF2+ source diode. This was attributed to the smaller surface concentration and diffusivity of boron in the silicon in Si-B source diodes. Regarding electrical characteristics of diodes with a junction depth over 500 Å, a forward ideality factor of better than 1.01 over 8 decades and a reverse-current density lower than 0.5 nA/cm2 at -5 V were obtained. As the junction depth shrank to 300 Å, the ideality factor and reverse current density of diodes increased slightly to 1.05 and 1.16 nA/cm2, respectively. These results demonstrated that a uniform ultrashallow p+-n junction can be obtained by using a thin Si-B layer as a diffusion source 相似文献
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