微电机与微加工

简述了和微电机相关的微加工生产中的方法，介绍了微型机电部件成型的实现途径。     

一起500kV线路计量点事故隐患的分析与思考

本文简要介绍了500kV某回线计量点验收时发现事故隐患的过程,从电容式电压互感器本身结构出发,详细分析了产生事故隐患的原因、带来的危害等,并由此提出了计量点验收工作的重要性和必要性。     

计算抛物面天线支杆对方向图影响的简化方法

本文基于物理光学球面波展开法，提出一种计算抛物面天线支杆对其方向图影响的简化方法，文中导出了计入支杆散射的天线辐射方向图的解析表达式，并给出了支杆对其方向图旁瓣电平影响的计算实例，数值结果表明，本文所提出的新方法不仅计算结果精度高，而且所需计算机容量小，运算速度快，可应用于天线工程设计。     

运用社会主义市场经济规律加快水利基础产业的发展

水利作为基础产业,一个基本要求就是要自我维持,自我发展,这就要求人们树立强烈的紧迫感、危机感和赶超意识,按照社会主义市场经济要求,建立水利良性发展机制,调整水利产业结构,大力兴办经济实体,发展壮大水利经济实力,形成水利为社会,社会办水利的新格局。     

卷烟信息网络防伪系统的构建及应用

介绍了卷烟信息网络防伪管理系统构建原理、技术特点和功能 ,及其在烟草行业中的应用。     

自动化安全监测系统在太平湖水库消险加固工程中的应用

太平源水库位于嫩江一级支流黄蒿沟上，控制面积683km^2，设计标准为100年一遇，2000年一遇校核，工程等别为大Ⅱ型，设计总加容1．53m^3。1999年12月被鉴定为三类病险率，原有观测设施基本报废，不有满足水库消险加固后的正常运行需要。为确保大坝安全，采用新的监测设备和技术。安装一套大坝安全自动化监测系统，对大坝安全状况进行自动监测与分析汇总。     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.     

硅晶片双面超精密化学机械抛光

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.     

数据挖掘技术在大坝安全决策支持系统中的应用

数据挖掘技术是一个新兴的，具有广阔应用前景和极富挑战性的研究领域。在充分研究大坝安全决策支持系统的基础上，结合数据挖掘技术的概念与方法等，对数据挖掘技术在大坝安全决策支持系统中的应用进行论述，与此同时，运用数据挖掘技术分析了某大坝垂直位移测值突变的物理成因。     

Effect of Additives on Magnetic Properties of High Frequency MnZn Power Ferrite

In keeping with the advance of more compact and more power-saving electronic equipment, the demand is increasing for smaller and more efficient switching power supply. Therefore, it is necessary to provide the adequate magnetic power ferrite materials to satisfy the demand. Such ferrite materials have to meet the following main requirement: 1) high initial permeability (μ i ); 2) high saturation magnetic induction (Bs); 3) high Curie temperature (Tc); 4) high electrical resistivity (ρ ); 5)…