细节决定采输卤的成败

通过认真学习《细节决定成败》，结合井矿盐开采的实际，分别以生产过程中的三个细节为主，讨论了在采输卤生产技术控制中的细节的重要性。     

干涉型激光直写技术用于光盘防伪

利用作者研制的干涉型激光直写系统，阐述了干涉型激光直写设计OVD的方法，防伪特征，介绍了应用于光盘防伪的OVD技术和应用前景，给出了实验结果。     

火力发电厂集散控制系统的设计原则

简要论述了集散控制系统的发展 ,根据火力发电厂的现场环境及实际情况 ,提出了火力发电厂集散控制系统的设计原则 ,并展望了集散控制系统的发展     

移动网络中的独立式安全管理系统

本文提出一种适用于移动网络的安全管理系统,由于访问网络能够独立地对漫游用户进行认证,所以称该系统为独立式安全管理(ISM).基于ISM设计一种漫游用户的认证协议,通过对协议的比较分析可以看出,相对于其它安全管理系统,ISM的突出优点是安全责任划分清晰、认证效率高.     

选择测试阀在现场测试中的应用

选择测试阀是新一代全通径压控式测试器，在结构和性能上有了本质的创新，使现场操作更加简便、安全，对井筒条件要求低，更适用于高温、高压、深井、气井的地层测试，拓宽了地层测试和其它井下作业的兼容性。经7井次应用，其安全性、可靠性越来越得到认可。     

频谱分解技术在塔里木盆地北部TH地区碳酸盐岩缝洞型储层预测中的应用

本文从频谱分解技术的基本原理及计算方法入手,根据正演模型,通过对比缝洞型储层与地震反射特征的关系,总结出储层发育的反射特征,相应地精细调整频谱分解处理参数,进而进行预测。通过与钻井资料对比可知,频谱分解技术可以刻画不同频率强反射、弱反射的边界。     

A low-phase-noise K-band CMOS VCO

A novel circuit topology for low-phase-noise voltage controlled oscillators (VCOs) is presented in this letter. By employing a PMOS cross-coupled pair with a capacitive feedback, superior circuit performance can be achieved especially at higher frequencies. Based on the proposed architecture, a prototype VCO implemented in a 0.18-/spl mu/m CMOS process is demonstrated for K-band applications. From the measurement results, the VCO exhibits a 510-MHz frequency tuning range at 20GHz. The output power and the phase noise at 1-MHz offset are -3dBm and -111dBc/Hz, respectively. The fabricated circuit consumes a dc power of 32mW from a 1.8-V supply voltage.     

EMBLAZE-VCON公司看好中国视频通信市场的未来发展

通过多年来信息技术和业务的不断发展，人们之间的交流方式变得多种多样，电信用户不再满足于电话形式的语音通信，而希望能够进行更多面对面地交流，所以视频通信近年来得到了迅速发展。以色列EMBLAZE—VCON公司成立十多年来一直致力于网络多媒体即时通信系统的开发、制造和销售，并提供视频通信整体解决方案。EMBLAZE—VCON公司总部设在以色列，目前已经在中国、美国、德国、法国、英国、西班牙等国家设有分公司。     

机载激光武器回顾与发展

鉴于美国对弹道导弹"多层防御"体系建设的日益重视,从发展历程、发展现状和未来规划三部分,详细介绍了作为弹道导弹"多层防御"体系重要组成部分的机载激光武器的研制进展情况,以期为读者提供机载激光武器过去、现在、将涞三方面全方位的发展信息,同时还分析了机载激光武器在研制过程中所遇到的包括技术实现和经费等在内的一些困难,希望对我国该领域的发展起到一定的参考作用.     

A new Pd-oxide-Al/sub 0.3/Ga/sub 0.7/As MOS hydrogen sensor

A new and interesting Pd-oxide-Al/sub 0.3/Ga/sub 0.7/As MOS hydrogen sensor has been fabricated and studied. The steady-state and transient responses with different hydrogen concentrations has been measured at various temperatures. Based on the large Schottky barrier height and presence of oxide layer, the studied device exhibits a high hydrogen detection sensitivity and wide temperature operating regime. The studied device exhibits the low-leakage current and obvious current changes when exposed to hydrogen-contained gas. Even at room temperature, a very high hydrogen detection sensitivity of 155.9 is obtained when a 9090 ppm H/sub 2//air gas is introduced. Furthermore, when exposed to hydrogen-contained gas at 95/spl deg/C, both the forward and reverse currents are substantially increased with increased hydrogen concentration. In other words, the studied device can be used as a hydrogen sensor under the applied bidirectional bias. Under the applied voltage of 0.35 V and 9090 ppm H/sub 2//air hydrogen ambient, a fast adsorption response time about 10 s is found. The transient and steady-state characteristics of hydrogen adsorption are also investigated.