首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1696687篇
  免费   28731篇
  国内免费   7197篇
电工技术   35755篇
综合类   6757篇
化学工业   278653篇
金属工艺   67737篇
机械仪表   49780篇
建筑科学   50334篇
矿业工程   12145篇
能源动力   50768篇
轻工业   134878篇
水利工程   17337篇
石油天然气   38616篇
武器工业   217篇
无线电   203260篇
一般工业技术   316331篇
冶金工业   255316篇
原子能技术   34897篇
自动化技术   179834篇
  2021年   15734篇
  2020年   12228篇
  2019年   14986篇
  2018年   20793篇
  2017年   20603篇
  2016年   24086篇
  2015年   18025篇
  2014年   29157篇
  2013年   88879篇
  2012年   40995篇
  2011年   57875篇
  2010年   48143篇
  2009年   55342篇
  2008年   52611篇
  2007年   51097篇
  2006年   49151篇
  2005年   45303篇
  2004年   46028篇
  2003年   45579篇
  2002年   43844篇
  2001年   41031篇
  2000年   38883篇
  1999年   39552篇
  1998年   73248篇
  1997年   56448篇
  1996年   46581篇
  1995年   37451篇
  1994年   34100篇
  1993年   34057篇
  1992年   27883篇
  1991年   25269篇
  1990年   25440篇
  1989年   24534篇
  1988年   23088篇
  1987年   21213篇
  1986年   20675篇
  1985年   23949篇
  1984年   23235篇
  1983年   21188篇
  1982年   19965篇
  1981年   20172篇
  1980年   18819篇
  1979年   19115篇
  1978年   18376篇
  1977年   19552篇
  1976年   22843篇
  1975年   16234篇
  1974年   15688篇
  1973年   15842篇
  1972年   13337篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
Refractories and Industrial Ceramics - The paper introduces a promising technology for utilizing a traditional scheme for implementing a flow-through micro-arc oxidation method to restore localized...  相似文献   
22.
Theoretical Foundations of Chemical Engineering - On the basis of the classic concepts of the theory of solid-phase combustion, for the first time, a model with a detailed scheme of chemical...  相似文献   
23.
24.
Multimedia Tools and Applications - Recently, many concepts in technology has been changed. According to the digital transformation trends, Internet of Things (IoT) represents an interested...  相似文献   
25.
In this study, dilute chemical bath deposition technique has been used to deposit CdZnS thin films on soda-lime glass substrates. The structural, morphological, optoelectronic properties of as-grown films have been investigated as a function of different Zn2+ precursor concentrations. The X-ray diffractogram of CdS thin-film reveals a peak corresponding to (002) plane with wurtzite structure, and the peak shift has been observed with the increase of the Zn2+ concentration upon formation of CdZnS thin film. From morphological studies, it has been revealed that the diluted chemical bath deposition technique provides homogeneous distribution of film on the substrate even at a lower concentration of Zn2+. Optical characterization has shown that the transparency of the film is influenced by Zn2+ concentration and when the Zn2+ concentration is varied from 0 M to 0.0256 M, bandgap values of resulting films range from 2.42 eV to 3.90 eV while. Furthermore, electrical properties have shown that with increasing zinc concentration the resistivity of the film increases. Finally, numerical simulation validates and suggests that CdZnS buffer layer with composition of 0.0032 M Zn2+ concentration would be a promising candidate in CIGS solar cell.  相似文献   
26.
Combustion, Explosion, and Shock Waves - Results of a numerical study of mixing, ignition, and combustion of a cold hydrogen jet propagating along the lower wall of a channel parallel to a...  相似文献   
27.
Multimedia Tools and Applications - In this work, a new fuzzy logic-based algorithm is proposed for the enhancement of low light color images. A generalization of a fuzzy set known as an...  相似文献   
28.
Multimedia Tools and Applications - The three-dimensional models of brain tumors serve as diagnostic assistance for physicians, surgeons, and radiologists. The proposed system establishes an...  相似文献   
29.
Forschung im Ingenieurwesen - Das Arbeitsmittel in Wärmepumpen unterliegt einer Vielzahl von Anforderungen, welche für einen effizienten und sicheren Betrieb eingehalten werden...  相似文献   
30.

We discuss the temperature dependence of a common low temperature local thermometer, a tunnel junction between a superconductor and a normal metal (NIS junction). Towards the lowest temperatures its characteristics tend to saturate, which is usually attributed to selfheating effects. In this technical note, we reanalyze this saturation and show that the temperature independent subgap current of the junction alone explains in some cases the low temperature behavior quantitatively.

  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号