直流变换器的电流控制性能对比与数字实现

基于DSP数字控制的DC/DC变换器,其电流环路的控制一般采用平均电流模式.峰值电流控制一般由模拟芯片实现,且存在稳定问题,需要设计斜坡补偿电路.此处以Buck变换器为例,对两种电流控制进行小信号建模,并仿真对比了动态和稳态性能,结果表明峰值电流控制具有更快的动态响应速度;为了追求高动态性能,利用DSP特有的AD比较功能实现了峰值电流的数字控制,并提出和分析了一种数字斜坡补偿方法,研制的500 W样机实验验证了所提方法的正确性和有效性.     

中高温酸酐固化环氧树脂的自修复研究

基于兼具修复效率高、兼容性好、热稳定性较好等优点的微胶囊化环氧?胺自修复体系,研究了其在一种中高温（100~170 ℃）酸酐固化的商用环氧树脂中的自修复性能。首先研究了所选用修复剂的热稳定性及其在微胶囊化后在树脂基体中的热稳定性,进而采用人工预混注入修复剂的方法研究了所选用修复剂与酸酐固化环氧树脂的兼容性,最后在树脂基体中加入双组分微胶囊研究了该微胶囊化环氧-胺自修复酸酐固化环氧树脂的自修复性能,并探究了微胶囊比例与浓度及树脂固化程序对自修复性能的影响。结果表明,所选用的修复剂体系热稳定性较好,微胶囊化后在树脂基体中热稳定性较高,适用于酸酐中高温固化的环氧树脂的自修复,优化后的自修复效率较高,超过80 %。     

高频链DC/AC变换器有源钳位调制方法研究

基于高频链DC/AC变换器的全桥有源钳位电路可以有效解决电路中的过压和震荡问题,全桥有源钳位电路一般采用单项正弦波脉宽同步调制方式(SPWM),但该方法对驱动电路要求较高,其在脉宽较窄时,易发生脉冲丢失.针对该问题,采用了一种移相同步调制策略,钳位电路开关管的驱动均为50％的方波信号,并可以实现主电路ZVS软开关.分析了钳位电路移相同步调制策略及主电路软开关原理,仿真和实验验证了所用方法的正确性.     

通过氢处理改善α＋β型钛合金的拉伸性能

提出了一种新的细化α+β型钛合金显微组织的氢处理工艺:在合金的氢化β转变点以下0—40K的温度范围对合金渗氢处理,空冷至室温,最后在948K真空除氢。Ti-6Al-4V和Ti-5Al-2.5Fe合金经此工艺处理后,组织显著细化,屈服强度,拉伸强度及延伸率分别提高8—15％,5—13％,7—14％。     

CAN总线伺服控制卡的研制应用

本文结合清华大学THBIP-I型仿人机器人样机研制，开发设计了基于CAN总线的仿人机器人关节伺服控制卡。文中详细描述了该控制卡的硬件结构原理和系统软件协议，以及伺服卡在样机上的技术实验，并提出了进一步完善发展的思路。     

PORTEVIN-LE CHATELIER EFFECT IN COMMERCIAL AI-Cu-Mg ALLOY

在一定的温度和应变速率范围内研究了淬火和淬火后经短期人工时效处理的Al-Cu-Mg合金薄板的Portevin-Le Chatelier效应.结果表明,淬火后短期人工时效处理可以推迟产生波纹痕迹.据此,提出了推迟板材产生不均匀变形带的措施.     

30MnCrNiMoB低合金钢绝热剪切带的形成机制与微结构

研究了３０ＭｎＣｒＮｉＭｏＢ低合金钢在穿甲弹冲击下绝热剪切带（ＡＳＢ）的形成机制。指出在高速变形（冲击）条件下ＡＳＢ的形成是应变硬化、热软化和位错动态发时导致的应变软化等因素相互耦合产生的塑性失稳现象。进一步确认ＡＳＢ内具有周期性微观结构，并说明ＡＳＢ中周期性开裂与微结构的关系。     

RBF级联型神经网络在挤出吹塑制品质量控制中的应用

通过对挤出吹塑工艺过程建立了成形工艺参数与制品质量关系的RBF(径向基函数)级联型神经网络,经训练,该网络可预测各成形工艺参数对制品质量的影响,从而可实现对制品质量的有效控制,并实验验证了其正确性和可行性。     

贫铀合金的大气腐蚀特性研究

通过对贫铀合金在沿海、内地的户外暴露试验和库内露置试验，研究并得到了贫铀合金的大气腐蚀特性，分析了大气中SO2、Cl-及相对湿度腐蚀贫铀合金的原因与结果.      

电沉积法制备CuInSe2薄膜的组成与形貌

采电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料，研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明：最佳的沉积电位范围为-0．6～0．8V（vsSCE）；硒化退火是获得高质量CuInSe，薄膜的必要过程，硒化退火温度应控制在440～610℃范围内；在不同沉积电位和不同电解质浓度组成溶液中，通过电沉积并在500℃下硒化退火均可获得黄铜矿结构CuInSe2多晶薄膜；沉积电位的负移会使膜层中CuInSe2的相对含量增加，晶型完善，且杂相减少；随着电解质浓度的增加，电沉积CuInSe2退火后结晶程度变好，颗粒变得粗壮，致密性也有所改善；电沉积并硒化退火后薄膜中的铜铟摩尔比受沉积电位和电解质浓度影响较大，当沉积电位为-0．7和-0．8V时，铜铟摩尔比约为1较为理想，且铜铟摩尔比的变化与电解液中CuCl2和InCl3的摩尔比变化一致。