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51.
通过偏光显微镜观察了石油系油浆(LH)与煤系闪蒸油(SN)焦化后所得焦块的光学结构。结果表明,在较宽条件下两种原料单独焦化均得不到取向度高的流线型结构。将两种原料以一定比例混合后先热解丙焦化所得焦块的光学结构明显好于二者混合后直接焦化所得焦块的光学结构,其中LH和SN以3:2的重量比混合后在440℃、1MPa下热解3.5h然后再在530℃、1MPa下焦化8h所得焦块为具有较高取向度的流线型结构,适合于作为针状焦的起始原料。  相似文献   
52.
本文对矩形光脉冲光电响应后沿拖曳的形成机制进行了详尽的实验研究和理论分析,认为形成该光电响应时滞后曳的主要根源在于光生电子与空穴的多声子慢态复合.我们给出了削减后沿拖曳、提高光电响应速度的有效措施,从而促进解决宽带光通讯的速度瓶颈问题.  相似文献   
53.
注硼中子寿命测井是一项水淹层测井新技术 ,对老油田的产层分析评价、剩余油含量估算等方面发挥了重要的作用。但测井施工时 ,往往由于注硼工艺不当导致硼酸的渗吸量难以准确反映地层可动水的含量 ,从而产生解释上的困难和误区。在渗流与扩散理论相结合的基础上 ,结合华北油田的施工实践 ,介绍了确定注硼管柱、硼酸用量、注硼压力以及硼酸扩散时间的基本原则和实际经验 ,为工艺的优化设计提供了一些方法与思路  相似文献   
54.
为使北京谱仪端盖族射计数器更好地工作在自猝灭流光SQS模式下,提高其能量分辨以及线性等指标,用Ar,CO2,Lsobutane三元工作气体对探测器的工作性能进行了仔细研究,找出了一适合于主雇地数器的工作气体,此外,还研究了异丁的纯度对探测器性能的影响。  相似文献   
55.
Quantitative x-ray diffraction topography techniques have been used to measure the residual strain magnitude and uniformity of deposition for Mo and W sputtered films on Si(100) substrates. High sensitivity rocking curve measurements were able to determine differential strains for films as thin as 2.5 nm; while Bragg angle contour mapping had similar sensitivity and was also able to assess coating uniformity and stress distribution over areas covering a whole wafer. Measurements of strain versus film thickness over a range of 2.5 nm to 80 nm showed that a critical thickness exists for maximum residual strain. Growth beyond this range produces stress relaxation. This non-destructive type of analysis could be employed on a wide range of film-substrate combinations.  相似文献   
56.
辐射制备缓释抗癌药阿糖胞苷的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
报告了甲基丙烯酸酯类在室温下进行辐射聚合制备缓释抗癌药阿糖胞苷(Ara-C)的研究结果。结果表明,不仅亲水性单体,而且疏水性单体(包括MMA、EMA和BMA等)都可用于辐射固化。加入到亲水性基质中的疏水性单体可以延缓药物的离体释放,其顺序是MMA<EMA<BMA,央MMA-HEMA共聚物中,Ara-C释放率随着基质中的MMA含量增加而降低。药物的离体释放还受许多困素的控制,结果显示:药物释放量随着  相似文献   
57.
提出一种极近距离雷达概念,并导出其作用距离公式,在此基础上研制出一台3mm波段极近距离多普勒雷达样机.试验结果表明该雷达结构简单,成本低廉,在作用距离为零点几米至几米范围内可获得较高的定距精度.  相似文献   
58.
开发了一种静态水热脱铝的方法。HZSM-5经此法处理后,正戊烷的裂解活性增加,脱氢和芳构化性能加强。可用改变处理温度的方法来控制脱铝的程度。用XRD和吡啶吸附红外技术进行了研究。HZSM-5分子筛催化剂性能的变化用非骨架铝产生的强L酸中心来解释。  相似文献   
59.
孙韬 《深冷技术》2002,(1):42-43
以切换式换热器空分设备为例 ,分析了空分设备酸性腐蚀的原因、可能造成的危害 ,提出了预防措施。  相似文献   
60.
GaAs Gunn diodes were fabricated for pulse source application at 8 mm wave band and operated with pulsewidths of 0.05 to 2.0 microseconds and duty cycles of 0.001 to 0.01. Peak pulse output power levels of 0.8–1.2W are achieved and the maximum available power is 1.6W with the highest efficiency of 6.5 percent. A simple and compact pulsed power combiner is also given in this paper.  相似文献   
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