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16Mn(HIC)钢在D405设备环境下的腐蚀行为研究 总被引:2,自引:0,他引:2
中国石化集团齐鲁石油化工公司胜利炼油厂1.40 Mt/a加氢裂化装置高压分离器D405存在设备制造问题,现场调查和介质环境的跟踪分析表明,D405设备腐蚀环境为碱性湿H_2S环境。实验室内选择16Mn(HIC)基材和焊接接头作为实验材质,在湿H_2S环境中进行了腐蚀实验。结果表明,16Mn(HIC)SSCC敏感性随硫化氢浓度的增加和pH值的降低而增加。焊缝处SSCC敏感性最高,经过热处理的焊缝其SSCC敏感性明显降低。因此,16Mn(HIC)在D405碱性湿H_2S环境下的腐蚀开裂敏感性很低,设备可以维持长周期运行。 相似文献
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新形势下电气工程及其自动化专业人才培养模式与知识体系框架 总被引:21,自引:8,他引:13
在分析了当前高等教育培养基本模式的基础上,根据科学技术和社会经济发展的要求,提出了人才培养的模式和要求。特别针对电气工程及其自动化领域的发展趋势以及对人才的需求,提出了该专业人才的知识框架体系。 相似文献
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爆破震动作用下新浇基础混凝土的安全震动速度研究 总被引:4,自引:0,他引:4
针对新浇筑混凝土的爆破震动控制,设法利用爆破地震波(Rayleigh波)作用下的新浇筑基础混凝土受力状态的理论分析和动力有限元计算,确定的新浇筑混凝土中的震动速度及动拉应变分布,并结合不同龄期下新浇筑混凝土的允许极限拉应变,从理论上确定新浇筑基础混凝土的安全震动速度及主要影响因素.理论分析结果和计算实例表明,新浇筑基础混凝土的允许震动速度值随基岩对新浇筑混凝土的基础约束程度的提高和随混凝土强度的降低而降低,我国现行采用的新浇筑大体积混凝土基础面上的质点安全震动速度值具有较大的安全储备. 相似文献
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在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献