全文获取类型
收费全文 | 25098篇 |
免费 | 1722篇 |
国内免费 | 817篇 |
专业分类
电工技术 | 1093篇 |
技术理论 | 4篇 |
综合类 | 1032篇 |
化学工业 | 4724篇 |
金属工艺 | 1002篇 |
机械仪表 | 1302篇 |
建筑科学 | 1519篇 |
矿业工程 | 529篇 |
能源动力 | 742篇 |
轻工业 | 1430篇 |
水利工程 | 324篇 |
石油天然气 | 1141篇 |
武器工业 | 127篇 |
无线电 | 3597篇 |
一般工业技术 | 3613篇 |
冶金工业 | 1472篇 |
原子能技术 | 196篇 |
自动化技术 | 3790篇 |
出版年
2024年 | 73篇 |
2023年 | 405篇 |
2022年 | 698篇 |
2021年 | 1038篇 |
2020年 | 770篇 |
2019年 | 700篇 |
2018年 | 804篇 |
2017年 | 783篇 |
2016年 | 833篇 |
2015年 | 857篇 |
2014年 | 1130篇 |
2013年 | 1590篇 |
2012年 | 1408篇 |
2011年 | 1600篇 |
2010年 | 1232篇 |
2009年 | 1246篇 |
2008年 | 1226篇 |
2007年 | 1159篇 |
2006年 | 1166篇 |
2005年 | 1045篇 |
2004年 | 711篇 |
2003年 | 685篇 |
2002年 | 596篇 |
2001年 | 523篇 |
2000年 | 579篇 |
1999年 | 641篇 |
1998年 | 735篇 |
1997年 | 556篇 |
1996年 | 520篇 |
1995年 | 392篇 |
1994年 | 350篇 |
1993年 | 284篇 |
1992年 | 208篇 |
1991年 | 177篇 |
1990年 | 150篇 |
1989年 | 130篇 |
1988年 | 100篇 |
1987年 | 75篇 |
1986年 | 66篇 |
1985年 | 58篇 |
1984年 | 46篇 |
1983年 | 33篇 |
1982年 | 44篇 |
1981年 | 34篇 |
1980年 | 26篇 |
1979年 | 24篇 |
1978年 | 24篇 |
1977年 | 26篇 |
1976年 | 18篇 |
1971年 | 14篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
101.
MA Perrella C Patterson L Tan SF Yet CM Hsieh M Yoshizumi ME Lee 《Canadian Metallurgical Quarterly》1996,271(23):13776-13780
102.
Tan W.S. Uren M.J. Houston P.A. Green R.T. Balmer R.S. Martin T. 《Electron Device Letters, IEEE》2006,27(1):1-3
A novel guarded surface leakage test structure is used to isolate the surface and bulk leakage contributions to gate current in AlGaN/GaN HFETs. Passivation with various recipes of SiN/sub x/ always resulted in the commonly observed increase in gate leakage, which was found to be dominated by bulk leakage through the AlGaN. However, high temperature deposited SiN/sub x/ recipes gave a 1-2 orders reduction in surface leakage, whereas low temperature deposition gave an increase. Gate lag measurements were found to correlate closely with the surface leakage component, giving direct evidence that the key device problem of current slump is associated with current flow at the AlGaN surface. 相似文献
103.
104.
Ng J.S. Tan C.H. David J.P.R. Hill G. Rees G.J. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2003,50(4):901-905
Electron and hole ionization coefficients in In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As are deduced from mixed carrier avalanche photomultiplication measurements on a series of p-i-n diode layers, eliminating other effects that can lead to an increase in photocurrent with reverse bias. Low field ionization is observed for electrons but not for holes, resulting in a larger ratio of ionization coefficients, even at moderately high electric fields than previously reported. The measured ionization coefficients are marginally lower than those of GaAs for fields above 250 kVcm/sup -1/, supporting reports of slightly higher avalanche breakdown voltages in In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As than in GaAs p-i-n diodes. 相似文献
105.
Digital filter bank design quadratic-constrained formulation 总被引:5,自引:0,他引:5
Formulate the filter bank design problem as an quadratic-constrained least-squares minimization problem. The solution of the minimization problem converges very quickly since the cost function as well as the constraints are quadratic functions with respect to the unknown parameters. The formulations of the perfect-reconstruction cosine-modulated filter bank, of the near-perfect-reconstruction pseudo-QMF bank, and of the two-channel biorthogonal linear-phase filter bank are derived using the proposed approach. Compared with other design methods, the proposed technique yields PR filter banks with much higher stopband attenuation. The proposed technique can also be extended to design multidimensional filter banks 相似文献
106.
107.
谈国新 《华中科技大学学报(城市科学版)》1994,(2)
本文提出了一种基于自然数线性八叉树的优化构造算法。该算法以活动结点表为中间辅助结构,在图像输入过程中直接生成基于N码的八叉树叶结点.与常规构造算法相比,新提出的优化构造算法省去了N码的计算及合并过程,从而具有较高的时空效率. 相似文献
108.
109.
110.
本文采用扫描电镜、X射线衍射仪以及常规仪器分析的方法测试了四川优质麻-达县红皮小麻和大竹青白麻的形态结构,超分子结构和力学性能,并与棉纤维进行了对比.实验表明,精干麻表面光洁.有裂纹裂缝等结构不匀点,取向度高,结晶度高,断裂强度高,刚性和断裂比功大,而延伸小;纤维粗.在主要指标上,红皮小麻优于青白麻。 相似文献