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991.
NaGd(MO4)2:R (M=W, Mo, R=Eu3+, Sm3+, Bi3+) phosphors were synthesized by solid-state reaction. The structure and photoluminescence properties of the samples were characterized using X-ray powder diffraction and fluorescence spectrophotometry. The 5D0→7F2 transition of Eu3+, which led to a red emission of the phosphors, was dominantly observed in the photoluminescence spectra. The doped Bi3+ and Sm3+ efficiently sensitized the emission of Eu3+ and effectively extended and strengthened the absorption of near-UV light with wavelengths ranging from 395 to 405 nm. In addition, energy transfers from Bi3+ to Eu3+ and from Sm3+ to Eu3+ occurred. The chromaticity coordinates of the obtained phosphors were close to the standard values of the National Television Standard Committee (x=0.670, y=0.330). The results suggest that NaGd(WO4)2−y(MoO4)y:Eu3+, Sm3+, Bi3+ is an efficient red-emitting phosphor for light-emitting diode applications. 相似文献
992.
对液氮泵内缸套进行有限元强度分析和疲劳寿命分析计算,找到危险位置与应力分布状态,对液氮泵缸体的可靠性评价、指导改进设计和正确使用具有重要意义。为此,采用Solid-works Simulation有限元分析软件,对某76 MPa液氮泵内缸套进行有限元强度和疲劳计算,并分析了吸入压力对强度和疲劳寿命的影响。分析结果表明,对该液氮泵内缸套采用无相贯线设计,有效地避免了相贯线的应力集中,静强度足够,整体疲劳寿命满足设计要求。但内缸套最大应力与最小疲劳寿命均出现在内缸套大端台阶边缘处,根据入口压力与强度和疲劳关系曲线认为,适当提高吸入压力可以有效改善内缸套强度和延长其疲劳寿命。 相似文献
993.
本设计实现了一种以AT89C2051单片机为核心的超声波测距系统,它具有低成本,高精度,微型化数字显示的特点.为提高测量精度,在测量时使用了DS18B20温度传感器对系统进行有效的温度补偿.经实验证明,本系统电路设计合理、工作稳定、检测速度快、测量简单、易于做到实时控制. 相似文献
994.
控压钻井技术是近年来发展起来的一项新技术,主要应用于窄安全密度窗口、不确定性压力系统地层的安全钻进。在国内外控压钻井技术发展基础上,基于智能化、信息化、集成化的钻井技术发展方向,采用分散集中控制思路,研发出一套自主知识产权的精细控压钻井系统,实现井筒压力闭环精细控制。该系统通过随钻实时监测井底及地面工程及设备参数,并进行分析及决策,实现井底压力的自动精确控制。该系统在南堡油田进行工业应用,开创了国内控压钻井技术工业应用的先河,解决了该区块奥陶潜山窄安全密度窗口地层恶性漏失、漏喷共存、难以钻达设计地质目标的难题,取得了显著效果。 相似文献
995.
996.
Link states are studied in ad hoc network. The characters of unidirectional links are discussed. Unidirectional link-state advertisement based on power control mechanism (ULAPC) for mobile ad hoc networks (MANET) is designed. ULAPC is able to advertise unidirectional link-state to relational nodes. And it may offer help for process of routing discovery in ad hoc network. Based on ULAPC, the routing method solving the problem of unidirectional link is described in ad hoc network. Simulation results show the performance of ULAPC is better than the traditional routing protocols in many aspects. 相似文献
997.
温度的微小变化必然会引起空气折射率的微小变化,进而影响通过该区域光的相位。采用迈克耳孙干涉仪与数字全息技术相结合的技术方案,实现对温度场分布的测量。借助数字视频技术,该技术架构可直接推广用于测量透明介质的流场分布及变化过程,如气流或水流中的密度分布以及变化过程等。 相似文献
998.
采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8~2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。 相似文献
999.
1000.
Tae Heon Kim Byung Chul Jeon Taeyoon Min Sang Mo Yang Daesu Lee Yong Su Kim Seung‐Hyub Baek Wittawat Saenrang Chang‐Beom Eom Tae Kwon Song Jong‐Gul Yoon Tae Won Noh 《Advanced functional materials》2012,22(23):4962-4968
It is demonstrated that electric transport in Bi‐deficient Bi1‐δFeO3 ferroelectric thin films, which act as a p‐type semiconductor, can be continuously and reversibly controlled by manipulating ferroelectric domains. Ferroelectric domain configuration is modified by applying a weak voltage stress to Pt/Bi1‐δFeO3/SrRuO3 thin‐film capacitors. This results in diode behavior in macroscopic charge‐transport properties as well as shrinkage of polarization‐voltage hysteresis loops. The forward current density depends on the voltage stress time controlling the domain configuration in the Bi1‐δFeO3 film. Piezoresponse force microscopy shows that the density of head‐to‐head/tail‐to‐tail unpenetrating local domains created by the voltage stress is directly related to the continuous modification of the charge transport and the diode effect. The control of charge transport is discussed in conjunction with polarization‐dependent interfacial barriers and charge trapping at the non‐neutral domain walls of unpenetrating tail‐to‐tail domains. Because domain walls in Bi1‐δFeO3 act as local conducting paths for charge transport, the domain‐wall‐mediated charge transport can be extended to ferroelectric resistive nonvolatile memories and nanochannel field‐effect transistors with high performances conceptually. 相似文献