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Jingtao Xu Jiazhen Wu Satoshi Heguri Gang Mu Yoichi Tanabe Katsumi Tanigaki 《Journal of Electronic Materials》2012,41(6):1177-1180
Polycrystalline samples of type?I clathrate Ba8Ni x Ge46?x (x?=?3, 4, 6) have been synthesized using a radio-frequency (RF) induction furnace. Ba8Ni x Ge46?x samples show metallic-like behavior (d??/dT?>?0) with high resistivity at room temperature, and diamagnetic susceptibility at 2?K and 300?K. The charge carriers vary from n type to p type depending on the Ni stoichiometry. The carrier concentrations at 300?K are calculated to be 5.84(3)?e?/cell for x?=?3, 2.29(1)?e?/cell for x?=?4, and 3.29(1)?h+/cell for x?=?6. The deviation of the carrier concentrations from the values expected based on 4-bonded Ni suggests that vacancies may play a very important role in the electronic states. The effective carrier masses are estimated from the low-temperature heat capacity data. 相似文献
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在真空(10 Pa)和空气(10~5 Pa)环境下,分别用短脉宽(10 ns)和长脉宽(140μs)激光辐照固体火箭推进剂HTPB/AP/Al样品,利用电磁复摆测量了冲量值,获取了对应激光入射能量和样品质量迁移量。结果表明:在长脉宽激光作用时,比冲在真空中随功率密度提高而增长,在空气中受激光烧蚀带走部分能量的影响偏低;用短脉宽激光作用时,热化学反应作功贡献减少,比冲在真空中受等离子体屏蔽影响较低,空气中冲量耦合机制以LSD波作功为主。 相似文献
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波分复用在自由空间光通信系统的应用仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍波分复用和自由空间光通信系统原理,利用Optisystem光通信软件仿真搭建了波分复用在光传输链路系统的应用模型。在直接调制下,通过对系统的Q因子、误码率等参数的仿真分析表明,波分复用在FSO系统中的应用具有可行性和稳定性。 相似文献
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提出了一种新的自适应分层多播拥塞控制方案(ALM)。ALM是发送方与接收方共同驱动、由路由器辅助流量控制的拥塞控制方案,通过把发送方的动态分层和接收方的自适应速率调整有机结合,不仅增强了分层多播的适应能力,提高了系统的吞吐量,而且较好地满足了TCP友好性。仿真实验表明,ALM能有效地利用网络带宽,解决网络带宽的异构性问题,并能通过接收端计算TCP友好速率,使接收端达到与TCP流公平竞争网络资源的目的。 相似文献
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The effects of Zn (1 wt.%, 3 wt.%, and 7 wt.%) additions to Sn-3.5Ag solder and various reaction times on the interfacial
reactions between Sn-3.5Ag-xZn solders and Cu substrates a during liquid-state aging were investigated in this study. The composition and morphological
evolution of interfacial intermetallic compounds (IMCs) changed significantly with the Zn concentration and reaction time.
For the Sn-3.5Ag-1Zn/Cu couple, CuZn and Cu6Sn5 phases formed at the interface. With increasing aging time, the Cu6Sn5 IMC layer grew thicker, while the CuZn IMC layer drifted into the solder and decomposed gradually. Cu5Zn8 and Ag5Zn8 phases formed at the interfaces of Sn-3.5Ag-3Zn/Cu and Sn-3.5Ag-7Zn/Cu couples. With increasing reaction time, the Cu5Zn8 layer grew and Cu atoms diffused from the substrate to the solder, which transformed the Ag5Zn8 to (Cu,Ag)5Zn8. The Cu6Sn5 layer that formed between the Cu5Zn8 layer and Cu was much thinner at the Sn-3.5Ag-7Zn/Cu interface than at the Sn-3.5Ag-3Zn/Cu interface. Additionally, we measured
the thickness of interfacial IMC layers and found that 3 wt.% Zn addition to the solder was the most effective for suppressing
IMC growth at the interfaces. 相似文献