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31.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾莹  王纪民 《微电子学》1997,27(1):37-42
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。  相似文献   
32.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
33.
秦国林  陈光炳 《微电子学》1998,28(3):212-216
叙述了国产高频宽带放大器的质量和可靠性现状,详细介绍了这类产品的质量一致性检验、可靠性摸底试验和现场使用过程中出现的可靠性问题,用统计的方法得出了可靠性特征量,通过对失效样品的失效分析,总结出宽带放大器主要的失效模式和失效机理,并提出了消除和减少失效、提高宽带放大器可靠性的措施和建议。  相似文献   
34.
35.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。  相似文献   
36.
岳炳良 《世界电信》1995,8(5):26-27,31
本文根据我国陆海空移动用户的需求与特点,借鉴国外经验,提出了建设UHF频段卫星移动通信系统的建议;对照已建成的C波段卫星固定通信系统,分析了其优缺点;最后深入探讨了应用中的若干技术问题。  相似文献   
37.
用强度系列成象法获取或显示高动态范围图象   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出一种适合于高动态范围图象的获取和显示的强度系列成象法。改变输入图象的强度,微机控制的图象采集系统进行记录得到一组磁盘文件,形成强度图象系列。基于记录的系列图象,可以进行信息提取、变换和显示等操作。基于获得的图象系列,提出一种剪贴操作进行快速的非线性图象变换。给出对光学功率谱处理的一个实例,它相当于进行锯齿形的非线性变换。  相似文献   
38.
39.
The microstructure and tensile properties of Al_4C_3 dispersion strengthened Al composite fabricatedby reaction milling technique were investigated.It is indicated that the rod-like Al_4C_3 dispersoidshaving a diameter of 0.02-0.03 μm and a length of 0.1-0.3μm are formed by reaction of C with Al,and uniformly distributed in the Al matrix.The interface between Al_4C_3 and Al is clean and theinterfacial bonding is good.The matrix consists of the subgrains which have the size of 0.3-0.4μm,and most of the Al_4C_3 dispersoids are distributed on the subgrain boundaries.The 11 vol.-%Al_4C_3/Al composite exhibits an UTS (ultimate tensile strength) of 400 MPa and anelongation-to-failure of 8.0%.  相似文献   
40.
混合Hermite-Lagrange插值之同时逼近   总被引:1,自引:1,他引:0  
对于(-1,1)中的结点组{X_k}_(k=1)~n,记l_k(x)为相应的Lagrange插值基本多项式,又记A_n=‖∑(2-x~2-x_k~2)(1-x_k~2)~-1丨l_k(x)‖。对于f∈C_([-1,1)~q与r=[q+2/2],本文证明满足条件H_n(f,x_k)=f(x_k)(k=1,2,…,n),H_n~(s)(f,±1)=f~(s)(±1)(s=0,1,…,n-1)的n+2r-1次代数多项式H_n(f,x)有逼近性质H_n~(s)(f,x)-f~(s)(x)=(?)其中δ_n(x)=n~(-1)(1-x~2)~(1/2),△_n(x)=δ_n(x)+n~(-2).作为证明的重要工具,本文还对n次代数多项式P_n(x),建立了另一形式的Bernstein不等武:若 P_n(x)=O(1)δ_n~q(x)ω(δ_n(x)),则p_n~(S)(X)=O(1)δ_n~(q-2S)(X)ω(δ_n(X))△_n~s(X)。  相似文献   
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