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991.
The process of interaction of a ductile projectile with a many times harder brittle target is analyzed in the 500–1000 m/sec range of velocities. The effect of hardness of the target and its fragmentation on the penetration depth is shown.Translated from Problemy Prochnosti, No. 9, pp. 60–62, September, 1991.  相似文献   
992.
The fabrication process of a low-temperature poly-Si thin-film transistor (TFT) with a storage capacitor was studied. The atmospheric-pressure chemical-vapour deposited SiO2 protected the buried indium tin oxide (ITO) from reduction by a pure H2 plasma treatment that was essential for the effective improvement of the poly-Si TFT characteristics. Thus, a storage capacitor with an ITO (picture electrode)-SiO2-ITO (buried common electrode) structure was successfully fabricated. The poly-Si TFT with a channel width/length W/L ratio of 5 drove a 3 pF storage capacitor in 2 μs, and it showed superior driverability for LCD use. The TFT also had good hold characteristics under illumination for the realization of grey-scale representation.  相似文献   
993.
994.
995.
996.
997.
998.
Based on the Ibl penetration model mass transfer equations for gas-evolving electrodes were derived and compared to the effect of forced convection. Experimental studies were conducted in a rectangular flow channel with the working electrode facing downward. The variables were linear bubble velocity, linear electrolyte velocity, nature of the gas and electrode position. Up to bubble velocities (Ux) of 2 and 6 cm s−1 for O2 and H2 gases respectively, the thickness of the Nernst diffusion layer (δav) was described well by the equation δav = [DdeL/(Ux)av]1/3. Intermediate slopes between − 1/3 and − 1 were observed for O2 bubble velocities between 2 and 6 cm s−1. A theoretical derivation suggests that in the absence of bubble coalescence, the mass transfer effect due to laminar flow induced by electrolytically evolved gas exceeds that due to forced external laminar flow for all practical channel designs.  相似文献   
999.
1000.
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