用CMOS工艺实现非接触IC卡天线的集成化设计

论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为2 2 .5 MHz、感应强度为6×10 - 4 T的磁场中,面积为2 m m×2 mm的集成天线可以为10 kΩ的负载提供1.2 2 5 m W的能量.     

高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器

报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器．研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0．82mW／mA和2．59mA，激光器在23mA时输出16mW最大光功率．氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA，其最大饱和光功率为5．5mW．     

MEMS电磁执行器CoNi MnP永磁体阵列的制备

永磁材料在微电子机械系统 (MEMS)器件中具有重要的应用价值 ,例如微型开关、微型继电器以及微泵、微阀中作电磁执行器等。本文介绍了CoNiMnP永磁体阵列的制备技术 ,给出了工艺制备的实验条件 ,并利用SEM分析了阵列的表面形貌 ,电子能谱分析了永磁材料组分。实验结果表明 ,得到了很好的CoNiMnP永磁体阵列结构 ,具有较高的矫顽磁力的材料组分比例 :Co 85 %、Ni14 %。     

PS在发现人为失误中的应用

在人们的日常生活中和生产活动中，安全管理和品质管理日趋重要，提高PS意识作为一种新兴的管理理念和手法，被越来越多的企业所采用，无论是作为一种工作态度还是一种生活习惯逐渐被人们所接受。本文对PS的概念、人为失误实质剖析、减少及发现人为失误中PS的运用进行了阐述。     

光分组网中冲突解决方案的研究新进展

综述了目前解决光分组网冲突的几种方案,及其最新研究进展,指出在今后光分组网中可能采用的最佳冲 突解决方案。     

ADV-JP2000及其在数码相机中的应用

ADV -JP2000是AnalogDevice公司为新的静止图像压缩标准JPEG2000而生产的专用压缩芯片 ,该芯片可灵活应用于各种静止图像压缩场合。文中主要介绍了ADV -JP2000的工作过程 ,给出了用ADV -JP2000为处理核心的数码相机系统的设计方案     

光场力对烧蚀物时空分布的影响

对烧蚀物的时空分布进行了研究。烧蚀物离开靶材表面时的速率分布由蒸发机制决定,在激光作用时间内烧蚀物的传输行为由扩散机制和光场力机制共同决定,激光作用结束后烧蚀物的传输行为由扩散机制单独决定,并解释了烧蚀物的时空分布及烧蚀物趋光运动的现象。     

乙醇溶液的荧光光谱及其特性的研究

分别从理论和实验上对紫外光激励不同浓度的乙醇溶液所产生的荧光光谱及其特性进行了分析研究。结果表明,在波长为254nm的紫外光激励下,乙醇溶液可以产生较强的荧光,其峰值为395nm,经研究认为该荧光是由乙醇分子中C-OH基团的孤对电子产生的。研究乙醇溶液的荧光光谱及其特性可为其作为有机溶剂对其它物质的荧光光谱进行研究提供参考。     

1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长

报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有良好的光致发光谱性能.含有三到五层1. 3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.     

1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长

报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有良好的光致发光谱性能.含有三到五层1. 3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.