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21.
22.
新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
23.
Cif2000平台下的核磁共振测井解谱方法研究 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了在Cif2000多井解释平台下的核磁共振解谱方法与编程实现。解谱采用加入平滑因子后在特征矩阵的奇异值分解中截去小的非零奇异值的方法,可以在低信噪比时得到稳定的弛豫谱,在油田实际应用中证明了该方法的有效性。根据该方法在Cif2000平台上编制了完整的解谱处理程序,可以直接用于油田的生产实际。 相似文献
24.
25.
Zhang Li Chun Jin Hai Yan Ye Hong Fei Gao Yu Zhi Ning Bao Jun Mo Bang Xian 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(6):1075-1076
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively 相似文献
26.
27.
X. S. Ning K. Suganuma T. Okamoto A. Koreeda Y. Miyamoto 《Journal of Materials Science》1989,24(8):2879-2883
Two kinds of additive-free silicon nitride ceramics were brazed with aluminium; one was with as-ground faying surfaces and
the other was with faying surfaces heat-treated at 1073K for 1.8 ksec in air. The heat-treatment of the silicon nitride ceramics
formed a silicon oxynitride layer on the faying surfaces and increased the brazing strength of the joints. A silica-alumina
non-crystalline layer and a β′-sialon layer were formed successively from the aluminium side at the interface of the joints.
The heat-treatment which made the former layer thicker is a necessary process in making reliable, strong brazed joints. 相似文献
28.
29.
荫罩的热变形使电子束产生着屏偏移 ,进而导致了色纯变坏。本文采用大型软件ANSYS对 1 5英寸荫罩进行了热变形的有限元仿真 ,从而得到了电子束的着屏偏移。建立了包括阴极射线管 (CRT)里所有部件的完整的有限元模型。荫罩被建为无孔连续薄壳的模型 ,对它的表面导热系数和表面弹性模量作了等效的计算。考虑了弹簧片的预应力以及弹簧片和销钉的连接。这样可使我们的分析模型更接近真实情况。本文给出了 50 0、1 0 0 0、1 0 0 0 0s时的热变形和电子束着屏偏移。分析表明 :电子束着屏偏移的最大值发生在 50 0s左右。利用这种分析方法及研究结果可指导新型荫罩的设计和研制。 相似文献
30.
1977年4月间,台北天母地区有22栋5层楼的公寓住宅,在广告攻势展开的第4天,即开始接受订购。到了订购的第3天,即达成10O%的销售成绩。其立竿见影效果之高,销售速度之快,为众房地产商所瞩目。这批公寓住宅的投资兴建者是台湾信托投资公司。其特色是采取凹型设计,数幢房屋合围着一块百余坪的空地。将这块空地再设计成一座小花园,即形成数幢房屋合围着一片有百余坪的绿地花园,对住户而言,颇为理想。设计完成后,台湾信托就准备刊播广告进行销售。广告代理商经过多次会商确定广告战略:1、强调这是金融业所兴建销售的房屋。2、强调房屋具有别墅的… 相似文献