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驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
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设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和. 相似文献
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HLA-DRB1等位基因主要参与人类的抗原免疫功能,对其进行比较研究,有助于追溯人类的进化迁移史,开发类群特异性药物.本研究以Matlab为平台,用自组织竞争网络(Self-Organizing Competitive Neural Network),对世界54个民族和人群、14个HLA-DRB1等位基因,进行了无监督模式分类.结果表明,各民族之间存在差异性,同民族的各人群之间有相似性.西伯利亚各人群,澳洲各土著人群,黑人各人群,南美印第安各人群,犹太族各人群,日本各人群,及欧美白人各人群有相对独立性:南美印第安人与西伯利亚人有高度相似性;中国民族在南方人群和北方人群间存在较大差异;中国汉族中,广东汉族地位特殊,与少数民族如拉祜族、瑶族关系密切. 相似文献
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针对多阈值分割中存在的问题,提出一种新的基于测量空间的空间聚类方法,即基于选择性多分辨率Kohonen网络的自适应灰度图像分割方法.算法的优点在于不需预知图像分割级数,而能够动态地根据图像局部特性决定.实验证明该方法具有良好的适应性. 相似文献
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