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111.
本文对原始状态和在火力发电厂使用不同时间的高这热器102钢管进行了显微组织和相结构变化规律的探讨和研究。显微组织研究表明,102钢管在高温高压下长期运行过程中,使用温度对显微组织和碳化物相有明显影响,而使用时间对其影响不如温度影响强烈。碳化物颗粒图象分析表明,碳化物随着使用时间缓慢长大,而新的碳化物不沉淀,使颗粒总数不断增加,颗粒,间距逐渐缩小。X射线衍射数据证明,钢管在高温长期使用过程中,MC相 相似文献
112.
Y. Ohshima H.S. Ahn M. Aoki S. Awa M. Fukushima H. Hayashii X.Q. Hu T.W. Hur S. Igarashi H. Ikeda H.C. Jeong K. Kaneyuki D.Y. Kim S.K. Kim A. Kuzmin M.H. Lee S. Noguchi A. Ochi H. Sagawa N. Sato N. Sugiyama K. Tamai T. Tanimori N. Toomi T.J. Wang K. Watanabe Y. Watanabe X.C. Zhong Y.C. Zhu 《Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment》1996,380(3):517-523
We studied the performance of a prototype electromagnetic calorimeter for the BELLE detector at the KEK proton synchrotron for an energy range of 0.25–3.5 GeV. The prototype consisted of an array of 6 × 5 CsI(Tl) crystals with 30 cm length (16.2 radiation lengths) and about 6 cm × 6 cm cross section. The scintillation light of each CsI(Tl) crystal was read out by two large-area PIN photodiodes and charge-sensitive preamplifiers attached at the rear face of the crystal. We measured the energy and position resolution for electrons and the e/π separation for two sets of matrix configurations: one corresponded to the center and the other to the edge of the barrel calorimeter. The overall performance measured by the test proves that the prototype calorimeter is satisfactory for the use in the BELLE detector. 相似文献
113.
114.
提出了强碱介质沉淀钇及有关杂质元素而与铝进行分离的方法。试液酸化后采用NaF析出法络合滴定测定铝。 相似文献
115.
文章报道了用分子束外延(MBE)法在600℃和650℃下,在Si掺杂的GaAs衬底的(311)A和(311)B面上成功地生长了高质量的AlxGa1-As/GaAs单量子阱材料。计算了光荧光(PL)峰值能量,并与实验作了比较。讨论了(311)A和(311)B面上的不同生长特性。 相似文献
116.
117.
Chun Hu Ji Zhao Li G.P. Liu P. Worley E. White J. Kjar R. 《Electron Device Letters, IEEE》1995,16(2):61-63
The effects of the plasma etching process induced gate oxide damages on device's low frequency noise behavior are investigated on MOSFET's fabricated with different field plate perimeter to gate area ratio antennas. Abnormal 1/f noise spectrum with a shoulder centered in the frequency range of 100 and to 1 kHz was frequently observed in small geometry devices, and it is attributable to a nonuniform distribution of oxide traps induced by plasma etching process 相似文献
118.
介绍了用于HT-7托卡马克的的八管弹丸注入器的物理、工程设计原理和结构特点及配置的各种诊断手段。注入器采用气动发射技术,弹丸为1mm×1mm,1.2mm×1.2mm,1.5mm×l.5mm圆柱体氢丸,丸速0.8~1.5km/s工作频率1~8Hz。 相似文献
119.
提出了三维定量储层地质模型及其参数动态预测方法,用该方法可预测储层开采状态,水淹区及剩余油区分布和各剩余油区的可采储量,三维定量储层地质模型的预测图件可为合理开采提供依据。 相似文献
120.
Xiang Lu S. Sundar Kumar Iyer Jin Lee Brian Doyle Zhineng Fan Paul K. Chu Chenming Hu Nathan W. Cheung 《Journal of Electronic Materials》1998,27(9):1059-1066
We have demonstrated feasibility to form silicon-on-insulator (SOI) substrates using plasma immersion ion implantation (PIII)
for both separation by implantation of oxygen and ion-cut. This high throughput technique can substantially lower the high
cost of SOI substrates due to the simpler implanter design as well as ease of maintenance. For separation by plasma implantation
of oxygen wafers, secondary ion mass spectrometry analysis and cross-sectional transmission electron micrographs show continuous
buried oxide formation under a single-crystal silicon overlayer with sharp Si/SiO2 interfaces after oxygen plasma implantation and high-temperature (1300°C) annealing. Ion-cut SOI wafer fabrication technique
is implemented for the first time using PIII. The hydrogen plasma can be optimized so that only one ion species is dominant
in concentration and there are minimal effects by other residual ions on the ion-cut process. The physical mechanism of hydrogen
induced silicon surface layer cleavage has been investigated. An ideal gas law model of the microcavity internal pressure
combined with a two-dimensional finite element fracture mechanics model is used to approximate the fracture driving force
which is sufficient to overcome the silicon fracture resistance. 相似文献