全文获取类型
收费全文 | 49998篇 |
免费 | 5870篇 |
国内免费 | 3496篇 |
专业分类
电工技术 | 4185篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 4581篇 |
化学工业 | 7221篇 |
金属工艺 | 2748篇 |
机械仪表 | 2942篇 |
建筑科学 | 4471篇 |
矿业工程 | 1412篇 |
能源动力 | 1417篇 |
轻工业 | 4534篇 |
水利工程 | 1260篇 |
石油天然气 | 2087篇 |
武器工业 | 593篇 |
无线电 | 5739篇 |
一般工业技术 | 5743篇 |
冶金工业 | 1945篇 |
原子能技术 | 610篇 |
自动化技术 | 7874篇 |
出版年
2024年 | 245篇 |
2023年 | 902篇 |
2022年 | 1679篇 |
2021年 | 2204篇 |
2020年 | 1774篇 |
2019年 | 1485篇 |
2018年 | 1563篇 |
2017年 | 1712篇 |
2016年 | 1562篇 |
2015年 | 2196篇 |
2014年 | 2749篇 |
2013年 | 3162篇 |
2012年 | 3524篇 |
2011年 | 3711篇 |
2010年 | 3441篇 |
2009年 | 3190篇 |
2008年 | 3305篇 |
2007年 | 3105篇 |
2006年 | 2973篇 |
2005年 | 2205篇 |
2004年 | 1801篇 |
2003年 | 1769篇 |
2002年 | 2218篇 |
2001年 | 1948篇 |
2000年 | 1210篇 |
1999年 | 923篇 |
1998年 | 538篇 |
1997年 | 479篇 |
1996年 | 411篇 |
1995年 | 339篇 |
1994年 | 239篇 |
1993年 | 185篇 |
1992年 | 175篇 |
1991年 | 108篇 |
1990年 | 74篇 |
1989年 | 66篇 |
1988年 | 47篇 |
1987年 | 34篇 |
1986年 | 25篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 11篇 |
1983年 | 10篇 |
1982年 | 9篇 |
1981年 | 9篇 |
1980年 | 27篇 |
1979年 | 5篇 |
1965年 | 1篇 |
1959年 | 3篇 |
1951年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
121.
122.
123.
124.
125.
126.
本文对激光结晶a-Si∶H SOI结构砷注入和快速退火行为作了研究.a-Si∶H激光结晶有Lp-LCR,OD,FCR-2,FCR-1四个结晶区.用剖面电镜观察了结晶区的结构.扩展电阻测量表明Lp-LCR区中有两种扩散机制,即杂质在晶粒体内扩散和沿缺陷扩散.OD区中有三种扩散形式,除有上述两种以外,还有沿缺陷的扩散.首次比较了沿晶界和缺陷的扩散速度. 相似文献
127.
In this study, distribution and history of residual stresses in plaque-like geometries are simulated based on linear thermoviscoelastic
model, which helps to understand the mechanics and evolution of the residual stresses in the injection molding process. The
numerical calculation of direction, combined with the specified boundary conditions. Results show that the stress variation
across the thickness exhibits a high surface tensile value changing to a compressive peak value close to the surface, with
the core region experiencing a parabolic tensile peak. Residual stress distribution throughout the thickness is almost same
along the flowpath and the final residual stresses value near the gate is lower than the value near the end of flowpath. 相似文献
128.
129.
130.
Mushroom-like ZnO microcrystals have been prepared via a solution calcination route, using Zn(NO3)2 as Zn source in the absence of any surfactants, templates or catalysts. This is the first example to prepare mushroom-like crystals as semiconductors, which are expected to show particular physical properties. The ZnO products were investigated by X-ray powder diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Raman spectroscopy and photoluminescence (PL) spectrum measurements. A suitable concentration of Zn(NO3)2 solution was important for the growth of the mushroom-like products. The reported synthetic procedure is straightforward and inexpensive, and thus can be readily adopted to produce large quantities of mushroom-like ZnO microcrystals. 相似文献