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31.
邱建新 《上海电机学院学报》2003,6(1):18-20,27
简要介绍了防火墙在校园网络建设中的重要作用,简介了防火墙的种类、工作原理,并对几种防火墙的优缺点进行总结。 相似文献
32.
焦化废水中多组分酚的因子分析—岭回归-光度法同时测定 总被引:2,自引:0,他引:2
根据3-甲基-2-苯并噻唑腙(MBTH)与酚类发生偶合显色反应而生成有不同颜色的稳定配合物的特点,测定废水中酚类混合体系的吸收光谱,结合因子分析和岭回归技术对工业废水中苯酚、邻甲酚、3,4-二甲酚、2,3-二甲酚、邻苯二酚等多组分酚的光谱数据进行解析,成功的确定了废水中酚的物种数,物种种类及各物种含量. 相似文献
33.
一类时滞神经网络系统的局部稳定性与分枝 总被引:1,自引:0,他引:1
给出一类时滞神经网络系统的零解的局部稳定判定准则,并给出该系统出现Hopf分枝的参数条件 相似文献
34.
35.
周铣加工表面形貌仿真新算法 总被引:3,自引:0,他引:3
考虑主轴偏心,基于周铣过程中刀具切削刃上任意点与工件相对运动的轨迹方程和周铣过程几何特征,构造出可以求解周铣加工表面上任意一点形貌高度值的三维表面形貌仿真算法,并给出了相应的仿真算例。该算法无需对刀齿进行微段离散,并且不依赖于工件网格划分,加工表面上任意一点形貌高度值的计算次数等于刀具齿数,具有通用性好、运算速度快、结果准确度高的特点。 相似文献
36.
SUN Guosheng Zhang Yongxing Gao Xin Wang Lei Zhao Wanshun Zeng Yiping Li Jinmin 《中国稀土学报(英文版)》2004,22(Z3)
Homoepitaxial growth of 4H-SiC on off-oriented Si-face(0001 ) substrates was performed by using the step-controlled epitaxy technique in a newly developed low-pressure hot-wall CVD (LP-HWCVD) system with a horizontal aircooled quartz tube at around 1500 ℃and 1.33 × 104 Pa by employing SiH4 C2H4 H2. In-situ doping during growth was carried out by adding NH3 gas into the precursor gases. It was shown that the maximum Hall mobility of the undoped 4H-SiC epilayers at room temperature is about 430 cm2 ·V -1 ·s -1 with a carrier concentration of ~ 1016 cm-3 and the highest carrier concentration of the N-doped 4H-SiC epilayer obtained at NH3 flow rate of 3 sccm is about 2.7 × 1021 cm-3 with a mobility of 0.75 cm2 ·V -1 ·S -1. SiC p-n junctions were obtained by epitaxially growing N-doped 4H-SiC epilayers on Aldoped 4H-SiC substrates. The C-V characteristics of the diodes were linear in the 1/C3-V coordinates indicating that the obtained p-n junctions were graded with a built-in voltage of 2.7 eV. The room temperature electroluminescence spectra of 4H-SiC p-n junctions are studied as a function of forward current. The D-A pair recombination due to nitrogen donors and the unintentional, deep boron center is dominant at low forward bias, while the D-A pair recombination due to nitrogen donors and aluminum acceptors are dominant at higher forward biases. The p-n junctions could operate at temperature of up to 400 ℃, which provides a potential for high-temperature applications. 相似文献
37.
本文着重对电压源串联型谐振变换器的理论问题和电路结构作了分析,对电流源并联型谐振变换器也作了概略的介绍。 相似文献
38.
用正电子湮没研究含砷α黄铜的脱锌机制 总被引:3,自引:0,他引:3
分别测量了含0.00、0.01、0.03、0.05、007、0.10wt%As的68wt%Cu-Zn合金在1%CuCl2水溶液中脱锌后的正电子寿命谱。讨论了黄铜脱锌及砷抑制脱锌的空位体扩散机制。 相似文献
39.
本文整理出巴米扬山谷遗址群的年代学证据,旨在重现大佛的历史与图像地位。首先介绍了巴米扬山谷遗址群的研究方法和年代阶段,接着讨论玄奘所见所录的大佛的原始配置,最后将三尊佛像放入其原始的图像志语境中去考查,认为涅檗像原应位于38米大佛和55米大佛之间。后者为宝装焰肩佛,其神格应为燃灯佛;38米大佛为释迦佛。而巡礼者所遵循的应是燃灯佛-释迦佛-涅粲佛-弥勒佛的绕拜顺序。 相似文献
40.