基于SWA优化级联网络的表情识别方法

为了提高表情识别技术的检测精度,文中提出了一种采用随机权重平均SWA优化级联网络的人脸表情识别方法。与单个卷积网络相比,多网络级联能得到更好的检测精度。相对于传统的SGD训练方法,SWA训练方法能增强级联网络中子网络的泛化能力,进一步提高模型的整体性能。通过在Fer2013数据集上测试实验发现,基于SWA方法训练采用加权求和法方式级联的网络模型识别准确率达到74.478%,相对于传统SGD方法训练的单网络模型提高了1.4%以上。另外,与其他典型方法相比,所提改进模型的识别准确率更高。     

四川省宽带业务网演进策略探讨

根据四川省现有网络发展状况 ,分析当前电信网发展趋势 ,提出四川省从现有的窄带交换网络向宽带业务综合网络演进策略及过渡的步骤。     

基于变周期梯形毫米波二维配对多目标检测算法

毫米波FMCW雷达体积小、工作频带宽、分辨率高且抗干扰性能强,基于毫米波雷达的多目标检测算法是目前研究热点。但现有的基于FMCW的雷达多目标检测算法存在大量虚警、漏检的问题。文中研究了梯形调频连续波的发射波形并分析了典型的梯形多目标匹配算法,在此基础上结合频域-二维配对法对发射波形及多目标算法加以改进,提出了改进变周期梯形波及多目标检测算法,提高了多目标识别的准确度。     

InP-based enhancement-mode pseudomorphic HEMT with strainedIn0.45Al0.55As barrier andIn0.75Ga0.25As channel layers

Using strained aluminum-rich In_0.45Al_0.55As as Schottky contact materials to enhance the barrier height and indium-rich In_0.75Ga_0.25As as channel material to enhance the channel performance, we have developed InP-based enhancement-mode pseudomorphic InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors (E-PHEMT's) with threshold voltage of about 170 mv. A maximum extrinsic transconductance of 675 mS/mm and output conductance of 15 mS/mm are measured respectively at room temperature for 1 μm-gate-length devices, with an associated maximum drain current density of 420 mA/mm at gate voltage of 0.9 V. The devices also show excellent rf performance with cutoff frequency of 55 GHz and maximum oscillation frequency of 62 GHz. To the best of the authors' knowledge, this is the first time that InP-based E-PHEMT's with strained InAlAs barrier layer have been demonstrated     

光学扫描全息系统中提高光电探测系统测量精度的方法

给出了光扫描全息术的基本原理,记录时用实时ＦＺＰ与物理强度透射率发生卷积从而产生扫描全息图,再现时用与记录时相对应的ＦＺＰ与全息图信号发生卷积即可再现出物理的信息,提出了单光源、双光路的光源补偿光路,以消除由于光源的不稳定带来的实验误差。     

基于光同步数字传输网的IP传送技术

对基于光同步数字传输网的IP传送技术(IPOverSDH)的内容和技术特点进行了较详细的介绍与说明,对相关的SDH接口进行了讨论,并对IPoverATM,IPoverWDM等传送技术进行了简要的分析和比较.     

ANSYS在VLSI互连模拟中的应用

介绍了ＡＮＳＹＳ程序在ＶＬＳＩ互连几何最佳化设计中的初步应用,应用表明：ＡＮＳＹＳ的模拟精度高,图形显示功能强,应用ＡＮＳＹＳ自动寻优功能使延迟最佳化几何参数的寻找较为迅速和直观。     

GaAs IC CAD及其在通信电路中的应用技术

介绍了自主开发的多个完整实用的 Ga As IC CAD软件 ,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波 IC CAD、光电集成电路 CAD、 Ga As VHSIC CAD、微波高速 MCM CAD等 ,并简要介绍了针对 Ga As工艺线的建库工作。以上软件和库已用于多个通信电路的设计。     

MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料

用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss～ 2 80 m A/mm,Imax～ 52 0— 580 m A/mm,gm～ 32 0— 40 0 m S/mm,BVDS>1 5V( IDS=1 m A/mm) ,BVGS>1 0 V,微波特性 :P0 ～ 60 0— 90 0 m W/mm,G～ 6— 1 0 d B,ηadd～ 40— 60 % ;栅长为 0 .4μm的器件的直流特性 :Imax～ 80 0 m A/mm,gm>40 0 m S/mm.     

基于STM32处理器的数字PDA系统设计

数字PDA系统整体由硬件电路和软件系统2部分组成,硬件电路由低功耗ARM微控制器STM32ZET6控制的PDA外围电路组成,软件系统则由硬件驱动程序、μC/OS-Ⅱ实时操作系统、FATFS文件系统、GUI等部分组成。数字PDA系统将整个软件系统进行了整合,提供一种基于页的机制方法,即每页都是一个线程,利用μC/OS-Ⅱ的信号量、邮箱机制实现多线程之间的任务切换。PDA系统采用页机制的设计,旨在减少增加应用程序时代码的修改量和提高整个PDA软件系统的稳定性,以及提高应用程序的开发速度。